真空電子
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深空電推進(jìn)阻滯勢分析儀探測方法研究
設(shè)計了阻滯勢分析器,利用該設(shè)備對推力器返流區(qū)的離子能量分布進(jìn)行了實驗研究,研究了距推力器束流平面出口中心位置40cm處,推力器正常實驗狀態(tài)下的離子能量參數(shù)分布、離子密度和溫度。
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介質(zhì)阻擋面放電等離子體流動控制研究進(jìn)展
文章主要介紹了國外針對SDBD特性、流動控制機(jī)理、氣動激勵數(shù)學(xué)模型、流動控制影響因素等的研究現(xiàn)狀,總結(jié)了國內(nèi)在SDBD等離子體流動控制實驗、數(shù)值模擬和機(jī)理研究方面的進(jìn)展。
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基于LIPS-200電推進(jìn)系統(tǒng)在GEO衛(wèi)星平臺上的布局研究
根據(jù)LIPS-200電推進(jìn)系統(tǒng)的組成、任務(wù)使命和約束條件,對其在平臺中的布局進(jìn)行了分析論證,確定了最終方案,并在平臺初樣電性星、結(jié)構(gòu)星上進(jìn)行了驗證。
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不同入射角度鋁的較高能二次電子發(fā)射系數(shù)表達(dá)式
根據(jù)分析二次電子的入射過程及二次電子發(fā)射系數(shù)的定義,從理論上推導(dǎo)出鋁的較高能二次電子發(fā)射系數(shù)與原電子入射能量及入射角度的關(guān)系。
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空間電推進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用新進(jìn)展
本文分別給出了離子電推進(jìn)、霍爾電推進(jìn)和其他電推進(jìn)類型的新研產(chǎn)品及主要性能,對電推進(jìn)新技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行了概要性的介紹,最后對空間電推進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用的新進(jìn)展給出了簡要總結(jié)和評述。
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界面極化效應(yīng)對AlGaN/4H-SiC HBT器件性能影響研究
本文基于突變HBT的熱場發(fā)射-擴(kuò)散模型,對異質(zhì)結(jié)界面極化效應(yīng)對AlGaN/4H-SiC HBT器件的直流和高頻性能的影響做了仿真分析,以為器件的工藝制造提供理論參考。
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放電參量對電負(fù)性容性耦合等離子體電子密度的影響
文章采用懸浮型微波共振探針技術(shù)對40.68MHz激發(fā)的單射頻容性耦合SF6、Cl2、O2/Ar電負(fù)性等離子體的電子密度進(jìn)行了診斷測量。首
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Ka波段雙注折疊波導(dǎo)行波管的研究
本文對限制單注折疊波導(dǎo)TWT增益和帶寬的因素進(jìn)行了詳細(xì)的分析,提出采用雙電子注折疊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)提高增益和拓展帶寬的方法,并通過仿真計算驗證了該方法的可行性。
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大氣熱噴涂等離子體射流中電子溫度和電子密度的測量
本文用發(fā)射光譜法對大氣下熱噴涂等離子體射流中電子溫度的測量原理進(jìn)行了分析,同時研究了不同電流和不同氣體成分下電子溫度及電子密度的演變情況,為進(jìn)一步了解電弧等離子體的特性提供參考。
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W波段高功率回旋行波管寬帶輸入窗設(shè)計
利用場匹配理論和傳輸級聯(lián)矩陣建立多層介質(zhì)窗的分析方法,對回旋行波管輸入窗進(jìn)行解析分析。在理論分析的基礎(chǔ)上,通過數(shù)值計算得到回旋行波管寬帶輸入窗的初步結(jié)構(gòu)和尺寸,然后再利用三維高頻分析軟件HFSS 進(jìn)行仿真
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長脈沖微波熱聲效應(yīng)的實驗研究
本文介紹了電子科技大學(xué)設(shè)計、搭建的一套脈沖寬度6ms,功率約800W的長脈沖微波熱聲效應(yīng)實驗系統(tǒng),并介紹了初步實驗研究結(jié)果。
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一種雙圓柱腔微波加熱系統(tǒng)的仿真研究
本文提出并設(shè)計了一種雙圓柱腔微波加熱系統(tǒng),該系統(tǒng)使用兩根銅棒將終端短路的矩形波導(dǎo)中的微波耦合到兩個圓柱腔內(nèi),對放入圓柱腔中的化學(xué)反應(yīng)罐實現(xiàn)加熱。
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