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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 釬焊工藝對Ni/BNi7+Cu9%釬縫組織及顯微硬度的影響

    本文采用BNi7釬料和純Cu粉末制成復(fù)合釬料，對純鎳進(jìn)行真空釬焊，研究不同的釬焊參數(shù)下復(fù)合釬料形成內(nèi)部組織及顯微硬度，同時了解溫度對鎳基釬料組織分布的影響。

  • 大曲率球形基底表面膜厚均勻性的實現(xiàn)

    針對球形基底膜厚均勻性問題，提出了一種新的思路，設(shè)計改造了一種新型布局的磁控濺射設(shè)備，以解決大曲率球形基底外表面膜層的均勻性問題。

  • 半球形基底鍍膜膜厚均勻性理論分析

    對特殊的非平面基片-半球表面上鍍制薄膜的膜厚均勻性進(jìn)行了理論分析研究。該研究工作對半球面這種復(fù)雜的非平面基片上鍍膜膜厚均勻性研究工作具有理論指導(dǎo)意義，同時對改善此種表面上的膜厚分布研究提供了相關(guān)的理論

  • 模糊參數(shù)自整定PID控制算法在真空冶煉中的應(yīng)用

    本文以真空冶煉爐為研究對象，在用階躍響應(yīng)曲線法研究真空爐溫度對象特性的基礎(chǔ)上，設(shè)計了一種基于參數(shù)模糊自整定PID 控制算法的高精度控制器。

  • 超高阻隔膜制備工藝現(xiàn)狀及市場發(fā)展

    回顧了普通包裝膜到超高阻隔封裝膜的研究發(fā)展歷程，系統(tǒng)闡述用于柔性電子元件封裝的超高阻隔無機(jī)氧化物薄膜的制備工藝現(xiàn)狀，并對其市場的發(fā)展前景進(jìn)行了深入的調(diào)查研究。

  • 真空斷路器瞬態(tài)恢復(fù)電壓與弧后電流相互作用仿真研究

    為進(jìn)一步理解真空斷路器開斷過程中的電流零區(qū)現(xiàn)象，仿真分析了真空斷路器開斷短路故障和切除電容器組時瞬態(tài)恢復(fù)電壓和弧后電流的相互作用。

  • 新近吹填淤泥地基真空固結(jié)失效原因分析及對策

    為了深入研究新近吹填淤泥地基真空固結(jié)失效的原因，本文先對不同地區(qū)新近吹填淤泥的工程特性進(jìn)行系統(tǒng)地研究，并采用3 種典型的豎向排水體進(jìn)行室內(nèi)真空固結(jié)單井模型對比試驗研究，然后提出相應(yīng)的解決對策。

  • 真空冷凍和熱風(fēng)干燥對藍(lán)莓品質(zhì)的影響

    研究真空冷凍干燥和熱風(fēng)干燥處理對藍(lán)莓品質(zhì)的影響，本實驗以藍(lán)莓為原料，應(yīng)用真空冷凍干燥技術(shù)對藍(lán)莓進(jìn)行處理，為評價該方法對干燥藍(lán)莓產(chǎn)品品質(zhì)的影響，選擇熱風(fēng)干燥與其對比研究，旨在為該技術(shù)在藍(lán)莓加工上的應(yīng)用和

  • 我國ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響

    ITO靶材的國產(chǎn)化，將實現(xiàn)我國有色金屬資源優(yōu)勢和觸控面板產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的結(jié)合，將極大的完善我國觸控面板的產(chǎn)業(yè)鏈。

  • 閥材構(gòu)建在真空燒焊技藝中運(yùn)用

    真空釬焊是一種在真空中不施加釬劑焊接零件的工藝方法，可用于難以焊接的材料和結(jié)構(gòu)，因此滑閥分組件的滑閥體與管的焊接采用真空釬焊的工藝方法。

  • 淺析真空粉末上料機(jī)的發(fā)展優(yōu)勢

    上料機(jī)的使用主要在化工、制藥、食品、冶金、農(nóng)副等行業(yè)中，在上料機(jī)的使用過程中不免存在粉末顆粒傳輸過程中的污染外溢，或者傳輸距離長短等的干擾，真空上料機(jī)的出現(xiàn)給這些指出了解決思路。

  • 應(yīng)用于工具鍍膜的磁場輔助離子鍍弧源及其放電特性分析

    本文比較分析了不同磁場輔助受控弧源的靶結(jié)構(gòu)、磁場位形及產(chǎn)生機(jī)制，討論了不同位形的磁場對弧斑運(yùn)動、放電的影響以及由此導(dǎo)致的鍍膜工藝的優(yōu)缺點(diǎn)等，對磁場控制的電弧離子鍍弧源的發(fā)展進(jìn)行了展望。

  • 脈沖偏壓對多弧離子鍍TiAlN薄膜的成分和結(jié)構(gòu)的影響研究

    本文在實驗中固定直流偏壓為100V，疊加不同的脈沖偏壓和不同占空比下成功制備了TiAlN薄膜，并對薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、原子組成和力學(xué)性能進(jìn)行討論和總結(jié)。

  • 基體結(jié)構(gòu)對Al/BN涂層性能的影響

    本文針對在役的Al/BN涂層顯微組織、結(jié)合強(qiáng)度、涂層硬度等內(nèi)容進(jìn)行研究，為涂層質(zhì)量可靠性評價提供借鑒，以提高等離子噴涂Al/BN涂層的質(zhì)量穩(wěn)定性及質(zhì)量控制水平。

  • 基底預(yù)處理對非晶碳/Mo2C復(fù)合薄膜場發(fā)射性能的影響

    本文采用機(jī)械研磨方法對Al2O3陶瓷襯底進(jìn)行預(yù)處理，采用直流磁控濺射技術(shù)在基底上濺射Mo過渡層，隨后在微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)沉積(MPECVD)系統(tǒng)中沉積非晶碳薄膜，研究了不同粒度金剛砂研磨基底對所制備樣品的場發(fā)射性

  • 復(fù)合高功率脈沖磁控濺射放電等離子體特性

    本文采用脈沖與直流電源并聯(lián)模式的復(fù)合HIPIMS，針對Ti、Cr靶研究脈沖電壓對復(fù)合HIPIMS 過程中的靶電壓、靶電流、電子密度(Ne)、電子溫度(Te)、等離子體電勢(Vs)以及基體電流等微觀參數(shù)的影響。

  • 非晶硅鍺薄膜電池研究進(jìn)展及發(fā)展方向

    本文主要通過介紹不同研究機(jī)構(gòu)的主要研究方向闡述非晶硅鍺電池的研究歷史、研究問題以及發(fā)展方向。

  • 背電極ZnO：Al薄膜與n-a-Si：H膜接觸特性的研究

    本文采用PECVD法在ZnO：Al薄膜上沉積了n-a-Si：H薄膜，接著分別用電子束蒸發(fā)和磁控濺射法在n-a-Si：H薄膜上制備ZnO：Al薄膜，并對ZnO：Al薄膜與n-a-Si：H薄膜的電接觸特性進(jìn)行了研究，從而找到ZnO：Al薄膜的最優(yōu)化條

  • TiO2薄膜元件阻變機(jī)理的模擬研究

    本文從模擬計算的角度對TiO2薄膜阻變機(jī)理進(jìn)行研究，這在阻變機(jī)理推導(dǎo)研究中鮮見報道。通過將計算模擬結(jié)果分析得出的推斷與本課題組先前實驗研究得出的結(jié)論進(jìn)行比較，可獲得更全面的阻變機(jī)制解釋。

  • LHT-100霍爾推力器濾波設(shè)計與放電震蕩關(guān)系研究

    本文針對霍爾推力器放電震蕩現(xiàn)象問題，分析了引入濾波模塊的必要性。通過仿真和設(shè)計研制出了專門的濾波單元，最終通過電源處理單元、濾波單元與霍爾推力器的地面集成試驗對霍爾推力器放電震蕩抑制效果進(jìn)行了驗證。

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