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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

多弧離子鍍與磁控濺射聯(lián)用鍍制TiN/SiO2復(fù)合裝飾薄膜的研究

本文結(jié)合多弧離子鍍和磁控濺射兩種鍍膜方法的優(yōu)點(diǎn)，制備了TiN/SiO2復(fù)合薄膜。通過掃描電鏡可以觀察到，制備的復(fù)合膜比單純的氮化鈦薄膜更加致密和光滑，基本消除了大顆粒的影響。
沉積時(shí)間對(duì)磁控濺射法制備寬禁帶半導(dǎo)體薄膜材料ZnS物性及光學(xué)性質(zhì)的影響

本文用磁控濺射法制備了ZnS薄膜，并對(duì)薄膜的物理性質(zhì)及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了細(xì)致的研究。為ZnS薄膜材料的進(jìn)一步應(yīng)用，提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
真空時(shí)效過程中常溫冷軋2024鋁合金微觀結(jié)構(gòu)演變

本文主要目的是采用適當(dāng)?shù)募庸すに�，�?024鋁合金獲得了良好的綜合機(jī)械性能。并利用TEM表征其微觀組織的演變規(guī)律。
真空脫氣裝置抽氣系統(tǒng)阻降過大分析研究

分析了造成真空脫氣裝置抽氣系統(tǒng)阻降過大的可能性原因，建立了適用于工程設(shè)計(jì)的計(jì)算模型，計(jì)算得出氣體冷卻器是造成阻降過大的主要原因，該文對(duì)未來真空脫氣設(shè)備工程應(yīng)用具有一定的指導(dǎo)意義。
基于二次優(yōu)化策略的約束環(huán)內(nèi)稀薄氣體粘度修正

本文從連續(xù)介質(zhì)N-S方程出發(fā)，面對(duì)約束環(huán)微通道內(nèi)的稀薄氣體流動(dòng)特性，結(jié)合已有的一階滑移邊界模型和粘度修正模型擴(kuò)展N-S方程，使其能夠求解約束環(huán)內(nèi)過渡流區(qū)的流動(dòng)特性。
不同海拔高電腦機(jī)箱溫度場、流場計(jì)算分析

為了能夠準(zhǔn)確的計(jì)算分析不同海拔高度地區(qū)電腦機(jī)箱溫度場問題，對(duì)風(fēng)機(jī)的性能曲線變化進(jìn)行了分析研究，為電腦等電器設(shè)備溫度場分析設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。
La摻雜對(duì)SnO2薄膜光學(xué)特性影響的第一性原理及實(shí)驗(yàn)研究

目前為止，對(duì)于第一性原理的研究大多數(shù)都集中在F、Sb、In、Fe上，對(duì)稀土摻雜SnO2報(bào)道較少，本文結(jié)合理論與實(shí)驗(yàn)對(duì)La 摻雜SnO2薄膜的光學(xué)性能進(jìn)行分析，并為以后研究提供相應(yīng)的參考依據(jù)。
YSZ/STO/YSZ-STO超晶格電解質(zhì)薄膜低溫電學(xué)特性

采用脈沖激光沉積法，在單側(cè)拋光的STO基底上制備YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡和射頻阻抗/材料分析儀對(duì)多層膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌以及電學(xué)特性等進(jìn)行表征。
等離子體增強(qiáng)原子層沉積Al2O3鈍化多晶黑硅的研究

本文使用金屬輔助化學(xué)法制備多晶黑硅，再經(jīng)低濃度堿溶液處理優(yōu)化黑硅結(jié)構(gòu)，最后用PEALD沉積了不同厚度的Al2O3鈍化層。采用掃描電鏡、分光光度計(jì)和少子壽命測(cè)試儀對(duì)黑硅的表面形貌、減反射特性和少子壽命變化進(jìn)行了分
鉬緩沖層對(duì)鉬/銅疊層結(jié)構(gòu)電極特性的影響

本文采用難熔金屬M(fèi)o作為緩沖層來增加Cu在玻璃表面的附著性并阻擋Cu與非晶硅之間的擴(kuò)散，得到了可以適用于大尺寸高分辨率平板顯示器的TFT陣列基板的疊層電極。
Cl2和SF6混合氣體對(duì)a-Si刻蝕反應(yīng)的研究

本文通過調(diào)整Cl2和SF6的用量，研究了a-Si 的刻蝕速率和均勻性的變化關(guān)系。
神光Ⅲ主機(jī)大動(dòng)態(tài)范圍X射線掃描相機(jī)研制

本文介紹了專門為神光Ⅲ主機(jī)研制的大動(dòng)態(tài)范圍X射線掃描相機(jī)。該相機(jī)采用了氣室結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了全部控制功能的遠(yuǎn)程控制，在動(dòng)態(tài)范圍和空間分辨上也有較大提升。
晶圓邊緣離子平均入射角度數(shù)值模擬研究

針對(duì)晶圓邊緣非垂直刻蝕剖面問題，對(duì)300mm雙頻容性耦合等離子體刻蝕機(jī)晶圓邊緣離子平均入射角度的分布特性進(jìn)行了數(shù)值模擬研究。
不同相結(jié)構(gòu)Ti33Al67靶材磁控濺射薄膜對(duì)比研究

本文研究了一種成分相同，而相結(jié)構(gòu)完全不同的Ti33Al67靶材沉積薄膜的性能，從微觀角度探討了兩種靶材沉積薄膜性能產(chǎn)生差異的原因。
ZnO納米棒/CNTs復(fù)合陰極的制備及其場發(fā)射性能的研究

本文采用低成本和簡單的方式來實(shí)現(xiàn)ZnO納米棒和CNTs的復(fù)合，通過水熱法生成ZnO納米棒陣列，利用簡單的噴涂方法來獲得ZnO納米棒/CNTs復(fù)合陰極，該復(fù)合陰極有極優(yōu)的場發(fā)射性能。
CNTs/NbSe2/Cu基自潤滑復(fù)合材料的制備及其摩擦學(xué)性能研究

本文先制備了CNTs/NbSe2納米粉末復(fù)合材料，然后以Cu為基相，采用粉末冶金方法制備了CNTs/NbSe2/Cu基自潤滑復(fù)合材料。
能量過濾磁控濺射技術(shù)室溫制備ITO膜的光電特性及其應(yīng)用

本文利用該技術(shù)制備了TOLED器件的ITO陽極，研究了ITO薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能，測(cè)試了TOLED的發(fā)光效率并與DMS 技術(shù)制備的器件作了對(duì)比。
調(diào)制周期對(duì)Ti-TiN-Zr-ZrN多層膜性能的影響

采用真空陰極電弧沉積技術(shù)，在TC11 鈦合金表面沉積同等厚度的三種不同調(diào)制周期Ti-TiN-Zr-ZrN 軟硬交替多層膜。
Ti-Al-Si-N涂層界面微結(jié)構(gòu)研究

采用多元等離子體浸沒離子注入與沉積裝置制備Ti-Al-Si-N涂層，借助X射線衍射儀、X射線光電子能譜、透射電子顯微鏡、納米探針和原子力顯微鏡等系統(tǒng)研究涂層界面微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能。
大批量微細(xì)刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗(yàn)分析

本文以HFCVD沉積大批量微細(xì)刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對(duì)象，利用有限容積法的仿真方法，對(duì)影響基體溫度場的多個(gè)工藝參數(shù)進(jìn)行仿真與分析，并提出優(yōu)化設(shè)計(jì)的方案。