真空應(yīng)用
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電弧離子鍍與磁控濺射復(fù)合技術(shù)制備Ti/TiN/TiAlN復(fù)合涂層的組織結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能
采用磁控濺射和電弧離子鍍技術(shù),在高速鋼基體上制備了Ti/TiN/TiAlN復(fù)合涂層。采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、顯微硬度計(jì)、微米劃痕儀等方法研究了鍍覆條件對(duì)復(fù)合涂層的形貌、組織結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響。
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鈦表面等離子體氧化及其對(duì)細(xì)胞粘附增殖的影響
本試驗(yàn)在噴砂酸蝕工藝處理獲得的鈦片試樣表面進(jìn)行等離子體氧化,分析等離子體氧化后鈦試樣的表面形貌、化學(xué)組成、價(jià)鍵狀態(tài)、親水性和成骨細(xì)胞粘附增殖的情況。
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原子層沉積制備VO2薄膜及特性研究
本文旨在利用ALD 技術(shù),以VO(acac)2和O2分別作為釩源和氧源,以玻璃為基底,在實(shí)現(xiàn)飽和吸附的前提下,通過(guò)改變沉積條件以及退火條件來(lái)研究不同反應(yīng)溫度及退火條件對(duì)VO2薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響,為后續(xù)VO2薄膜進(jìn)一步研
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ECR等離子體刻蝕增強(qiáng)機(jī)械拋光CVD金剛石
本文采用ECR等離子體刻蝕與機(jī)械拋光相結(jié)合的方法拋光CVD金剛石,并與單純的機(jī)械拋光CVD金剛石相比較,發(fā)現(xiàn)在機(jī)械拋光中增加ECR等離子體刻蝕能明顯增強(qiáng)機(jī)械拋光效率,特別是在機(jī)械拋光前期,組合拋光效率是機(jī)械拋光效
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濺射氣壓對(duì)Li-W共摻雜ZnO薄膜性能的影響
本文主要在不同濺射氣壓制備得到Li-W共摻雜薄膜(LWZO) ,分析了濺射氣壓對(duì)LWZO薄膜的結(jié)晶性能、表面形貌、光學(xué)性能的影響以及電學(xué)性能的影響。
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銀修飾氮摻雜TiO2薄膜的制備及光催化性能研究
本文采用磁控濺射法制備不同Ag含量的氮摻雜TiO2薄膜,并分析其形貌結(jié)構(gòu)、表面元素化學(xué)態(tài)、光學(xué)性能以及可見(jiàn)光催化活性,研究Ag的含量對(duì)薄膜性能的影響。
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固態(tài)碳源溫度對(duì)法CVD生長(zhǎng)石墨烯薄膜影響的研究
本文主要探索了固態(tài)源溫度變化對(duì)石墨烯生長(zhǎng)的影響,并采用固態(tài)源動(dòng)態(tài)變溫的方法生長(zhǎng)了石墨烯,有效提高了所得石墨烯薄膜的覆蓋率。
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行星周轉(zhuǎn)鍍膜裝置設(shè)計(jì)
針對(duì)現(xiàn)有的蒸鍍圓柱形腔體杜瓦鍍膜工藝存在工藝繁瑣、膜層不均勻等問(wèn)題,設(shè)計(jì)了行星周轉(zhuǎn)鍍膜裝置。
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退火溫度對(duì)CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性的影響
本文采用脈沖激光沉積方法,將Ⅳ族元素Ge摻雜在CuGaSe2中,在鈉鈣玻璃上沉積一定厚度的納米薄膜,研究了退火溫度對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)和成分的影響,表征了薄膜的表面形貌,分析了薄膜的光學(xué)特性。
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基于真空吸附的微器件受力分析研究
本文針對(duì)MEMS機(jī)構(gòu)中平板類微器件設(shè)計(jì)了一種基于真空吸附的微夾持系統(tǒng)。重點(diǎn)對(duì)微器件在不同吸附與釋放條件下進(jìn)行了它的受力分析,建立了力學(xué)模型,為實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的吸附提供了計(jì)算依據(jù)。
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ITER校正場(chǎng)線圈圓弧段真空壓力浸漬充模數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)
為優(yōu)化國(guó)際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆校正場(chǎng)線圈的真空壓力浸漬工藝,對(duì)線圈圓弧段的充模過(guò)程進(jìn)行了基于Darcy定律的數(shù)值模擬和工藝實(shí)驗(yàn)。
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真空管道HTS磁浮系統(tǒng)中振動(dòng)耗能法電磁制動(dòng)分析
本文討論在真空管道高溫超導(dǎo)(HTS)磁浮系統(tǒng)中運(yùn)行的車體利用振動(dòng)耗能的原理實(shí)現(xiàn)制動(dòng)。在西南交通大學(xué)超導(dǎo)與新能源研究開(kāi)發(fā)中心的真空管道HTS磁懸浮實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)上實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了此方法的合理性與實(shí)用性。
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真空鍋爐現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)的研究
本文從增強(qiáng)真空鍋爐換熱穩(wěn)定性、強(qiáng)化凝結(jié)換熱、提高能量利用效率等方面對(duì)影響真空鍋爐整體性能的因素進(jìn)行系統(tǒng)的分析,真空鍋爐現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)的研究,總結(jié)了真空鍋爐現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。
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真空絕熱板熱橋效應(yīng)傳熱模型分析與優(yōu)化
本文在前人研究的基礎(chǔ)上建立真空絕熱板邊緣線性傳輸率的模型并加以分析,提出更加全面的真空絕熱板熱橋效應(yīng)優(yōu)化措施,找到優(yōu)化創(chuàng)新點(diǎn),對(duì)VIPs的推廣應(yīng)用具有重大的指導(dǎo)意義。
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雙斷口真空斷路器開(kāi)斷特性的試驗(yàn)與仿真研究
為分析雙斷口真空斷路器的開(kāi)斷特性,建立了雙斷口真空斷路器的合成開(kāi)斷試驗(yàn)平臺(tái)和基于一種改進(jìn)真空電弧模型的電磁暫態(tài)仿真平臺(tái)。
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平板觸頭分離過(guò)程直流真空電弧形態(tài)與電壓特性
本文首先介紹了基于可拆卸滅弧室的真空電弧研究平臺(tái),利用該平臺(tái)研究了在不同幅值的近似恒定直流條件下,平板觸頭分離過(guò)程中真空電弧形態(tài)演化和電弧電壓特性,并就實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論。
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即食杏鮑菇熱風(fēng)-真空聯(lián)合干燥工藝優(yōu)化
為了充分利用工廠化栽培杏鮑菇加工副產(chǎn)物(菇頭),對(duì)其進(jìn)行聯(lián)合干燥開(kāi)發(fā)成即食杏鮑菇休閑產(chǎn)品。
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電推進(jìn)技術(shù)在全電推進(jìn)衛(wèi)星平臺(tái)的應(yīng)用研究
文章介紹了全電推進(jìn)衛(wèi)星平臺(tái)的進(jìn)展情況析了全電推進(jìn)衛(wèi)星平臺(tái)的任務(wù)需求,介紹了全電推進(jìn)系統(tǒng)方案及應(yīng)用模式,最后分析了全電推進(jìn)平臺(tái)對(duì)電推進(jìn)的主要性能需求。
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電推進(jìn)軌道轉(zhuǎn)移效益與風(fēng)險(xiǎn)
電推進(jìn)作為一種先進(jìn)的推進(jìn)技術(shù),具有比沖高的突出優(yōu)勢(shì),是提升衛(wèi)星性能的重要技術(shù),在國(guó)外高軌軍事衛(wèi)星平臺(tái)和商業(yè)衛(wèi)星平臺(tái)上均得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)前我國(guó)已突破電推進(jìn)單機(jī)技術(shù),并得到在軌飛行驗(yàn)證。
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電子束蒸發(fā)TiO2膜通氧量對(duì)薄膜光學(xué)性能的影響
文章研究了離子束輔助電子束蒸發(fā)鍍制TiO2薄膜的通氧量對(duì)薄膜性能的影響,獲得最優(yōu)的鍍制工藝以及最好的薄膜光學(xué)特性。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜