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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

各種濺射鍍膜方法的原理及特點(diǎn)

濺射鍍膜有多種方式，其典型方式如本文所示，表中列出了各種濺射鍍膜的特點(diǎn)及原理圖。
真空感應(yīng)爐脫硫工藝試驗(yàn)

本文設(shè)計(jì)了四種不同的冶煉方案，研究了脫硫渣成分配比、脫硫渣量、精煉參數(shù)、鋼液中的碳含量、脫硫渣的加入時(shí)間等因素對(duì)鋼液中硫含量的影響。
狹窄唇邊雙吸口式真空吸取器設(shè)計(jì)

本文基于真空原理，針對(duì)狹窄圓環(huán)形工件設(shè)計(jì)出一種具有狹窄飛邊雙吸口真空吸取器。
真空爐專用熱電偶及其選擇

簡述在特定真空度下溫度測量專用熱電偶的特點(diǎn)、選擇與應(yīng)用，詳細(xì)探討工業(yè)鎢錸熱電偶的分類、真空爐專用熱電偶的結(jié)構(gòu)與安裝。
微型節(jié)流制冷器在低溫醫(yī)療中的發(fā)展與應(yīng)用

文章提出低溫醫(yī)療在未來有廣闊的發(fā)展前景，倡議國內(nèi)相關(guān)微型節(jié)流制冷器的研制單位將該技術(shù)應(yīng)用于低溫醫(yī)療。
空間環(huán)境和污染對(duì)光學(xué)器件的影響

用于觀測衛(wèi)星、氣象衛(wèi)星、空間望遠(yuǎn)鏡上的各種光學(xué)器件及其光學(xué)涂層必須經(jīng)受住空間環(huán)境和污染的考驗(yàn)才能保證航天器的可靠性。采取有效措施減少空間環(huán)境的影響是解決問題的關(guān)鍵。
倒圓錐面基底蒸發(fā)鍍膜均勻性理論分析

通過計(jì)算得出了蒸發(fā)源位于倒圓錐面正下方外部鍍膜時(shí)錐面上各點(diǎn)的膜厚方程，并對(duì)整個(gè)錐面上膜厚均勻性進(jìn)行了理論分析。
FePtAg-C納米顆粒薄膜的制備及表征

利用磁控濺射法在熱氧化硅基片上成功制成了FePtAg-C顆粒薄膜(其中有MgO籽層)，并利用XRD、SQUID和TEM分別表征其織構(gòu)、磁性和微觀形貌。
磁透鏡內(nèi)徑比對(duì)條紋變像管性能的影響

本文針對(duì)一款高時(shí)空分辨率短磁聚焦式飛秒條紋變像管，構(gòu)建了更符合實(shí)際分布的磁場分布模型，分析了磁透鏡內(nèi)徑比對(duì)磁場分布、條紋變像管時(shí)空分辨率的影響。
Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脈沖激光沉積

本文采用PLD技術(shù)，在Si(111) 基片上制備Mg2Si薄膜，研究PLD工藝參數(shù)對(duì)Mg2Si薄膜制備的影響，通過工藝優(yōu)化制備得到純相、結(jié)構(gòu)均勻、表面平整的Mg2Si薄膜。
NaCl結(jié)構(gòu)VC薄膜生長過程中原子遷移的第一性原理研究

本文采用第一原理計(jì)算的方法研究了C和V原子在NaCl 結(jié)構(gòu)VC 表面和晶體內(nèi)部(111) 面上的遷移條件，并在此基礎(chǔ)上討論了工藝參數(shù)對(duì)薄膜生長的影響。
MgxZn1-xO薄膜的紅外光譜及其表面浸潤性

本文采用溶膠-凝膠法制備了不同Mg 含量MgxZn1-xO薄膜，研究了Mg 含量對(duì)MgxZn1-xO薄膜微結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。
H2S氣氛下硫化溫度對(duì)Cu2ZnSnS4薄膜性能影響的研究

本文采用兩步法制備CZTS薄膜。
有機(jī)溶劑對(duì)氧化鉍納米結(jié)構(gòu)形貌和場發(fā)射性能的影響

為了研究有機(jī)溶劑對(duì)化學(xué)合成法中生成的氧化鉍納米材料結(jié)構(gòu)及場發(fā)射性能的影響，反應(yīng)過程中，分別添加三個(gè)不同劑量的有機(jī)溶劑，獲得三種產(chǎn)物。利用掃描電鏡對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，并進(jìn)行場發(fā)射性能測試。
氧化處理TiNi合金薄膜的摩擦性能及其對(duì)滾動(dòng)直線導(dǎo)軌滾道的防護(hù)

本文采用兩種不同氧化工藝實(shí)現(xiàn)TiNi 薄膜的氧化處理。利用球-盤式摩擦實(shí)驗(yàn)機(jī)考察了干摩擦條件下表面氧化處理后TiNi 薄膜的摩擦學(xué)性能，并鍍制到導(dǎo)軌表面，期望提高導(dǎo)軌的減摩耐磨性能，從而提高其傳動(dòng)和定位精度。
脈沖偏壓對(duì)離子束輔助電弧離子鍍TiN/Cu納米復(fù)合膜結(jié)構(gòu)及硬度的影響

本文采用離子束輔助電弧離子鍍技術(shù)在高速鋼(HSS) 基體上沉積TiN/Cu納米復(fù)合膜，研究基體脈沖偏壓幅值對(duì)TiN/Cu納米復(fù)合膜的成分、結(jié)構(gòu)及硬度的影響。
脈沖電壓對(duì)HPPMS制備CrN薄膜的組織結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的影響

本文采用HPPMS技術(shù)制備CrN硬質(zhì)薄膜，重點(diǎn)研究電源脈沖電壓對(duì)CrN薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。
離子能流密度對(duì)AISI304不銹鋼氮化層摩擦性能的影響

采用低溫等離子體氮化技術(shù)，對(duì)AISI304不銹鋼進(jìn)行表面氮化處理，考察了離子能流密度對(duì)不銹鋼氮化層性能的影響。
砷鐵化合物真空熱分解的從頭算分子動(dòng)力學(xué)模擬

本文對(duì)Fe-As化合物在真空條件下熱分解進(jìn)行了熱力學(xué)和從頭算分子動(dòng)力學(xué)模擬。并采用理論計(jì)算的方法計(jì)算了氣態(tài)As分子的結(jié)構(gòu)，及其之間反應(yīng)的過渡態(tài)。
基體放置狀態(tài)與脈沖偏壓幅值對(duì)大顆粒形貌和分布的影響

本文通過改變基體上施加的脈沖偏壓幅值、靶基面相對(duì)位置和基體的放置狀態(tài)，來研究這些參數(shù)對(duì)電弧離子鍍中大顆粒缺陷數(shù)目和分布的影響規(guī)律，為選擇合適的靶基表面相對(duì)位置和脈沖偏壓幅值，減少甚至消除大顆粒引起薄膜