真空應(yīng)用
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聚碳酸酯表面碳基薄膜的制備及其光學(xué)性能研究
本文采用RFPECVD技術(shù)在PC材料表面沉積DLC薄膜,研究DLC薄膜和PC基片系統(tǒng)的摩擦學(xué)和光學(xué)性能。
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立方氮化硼薄膜的制備及研究
本文采用過渡層技術(shù),在硅片上先沉積三元BC-N過渡層,再沉積c-BN層,有效地降低薄膜內(nèi)應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)了c-BN厚膜的制備。同時(shí),本文也對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、成分、表面狀態(tài)和納米硬度進(jìn)行了表征。
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Ti6Al4V表面沉積TiCN薄膜的結(jié)構(gòu)及水環(huán)境中的摩擦學(xué)性能
本文即采用多弧離子鍍技術(shù)在Ti6Al4V合金表面沉積TiCN薄膜,研究了該薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)以及在干摩擦、水和海水環(huán)境條件下的摩擦學(xué)行為。
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硫渣真空蒸餾的實(shí)驗(yàn)探究
本文采用真空蒸餾的方法,利用錫與硫化亞銅在真空高溫下進(jìn)行反應(yīng),得到硫化亞錫與金屬銅,其中硫化亞錫在此條件下全部揮發(fā),從而實(shí)現(xiàn)硫渣中錫銅分離回收的目的,為硫渣處理的新方法提出了思路。
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真空精煉提純工業(yè)硅除鈣研究
本文在真空揮發(fā)精煉除鈣理論研究的基礎(chǔ)上,開展了工業(yè)硅真空揮發(fā)精煉除鈣的實(shí)驗(yàn)研究,考查了精煉時(shí)間、精煉溫度等因素對(duì)鈣去除效果的影響。
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MgO/Au復(fù)合薄膜的反應(yīng)射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究
本文采用反應(yīng)射頻磁控濺射法制備MgO/Au復(fù)合薄膜,比較了Mg靶和Au靶共濺射、分步濺射制備復(fù)合薄膜的表面成分及形貌,研究了濺射時(shí)襯底溫度和Ar/O2氣體流量比對(duì)薄膜晶粒分布、晶粒尺寸和結(jié)晶取向的影響。
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NiFeNb緩沖層和NiO插層對(duì)坡莫合金薄膜各向異性磁電阻的影響
為了研制出高精度的地磁導(dǎo)航系統(tǒng),必須開發(fā)出對(duì)弱磁場(chǎng)及方位都敏感的磁性材料-坡莫合金薄膜。
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航空透明件導(dǎo)電膜用納米耐磨保護(hù)涂層研究
本文以紫外光固化樹脂為有機(jī)相,采用溶膠- 凝膠法制備出納米SiO2為無機(jī)相,研制出與有機(jī)玻璃飛機(jī)透明件導(dǎo)電膜匹配的耐磨保護(hù)涂層。
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鋼鐵基體沉積金剛石膜的研究進(jìn)展
本文對(duì)不同成分和組織鋼鐵基體化學(xué)氣相沉積金剛石膜的影響因素進(jìn)行了分析,綜述了鋼鐵表面化學(xué)氣相沉積金剛石膜的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀,指出了今后鋼鐵上沉積金剛石膜的發(fā)展方向。
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基于氧化錫薄膜的表面?zhèn)鲗?dǎo)場(chǎng)致發(fā)射陰極陣列的制備及性能研究
利用磁控濺射和陽光刻技術(shù)在玻璃基底上成功制備了不同厚度SnO2的表面?zhèn)鲗?dǎo)場(chǎng)致發(fā)射陰極陣列,并測(cè)試其場(chǎng)致發(fā)射性能。
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真空冶金法處理脆硫鉛銻礦分離鉛銻的新工藝研究
本文從理論上簡(jiǎn)單分析了采用真空冶金法處理脆硫鉛銻礦分離鉛與銻新工藝的可行性,并對(duì)該新工藝中影響鉛與銻分離效果的溫度、時(shí)間等因素進(jìn)行了討論。
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真空管道交通系統(tǒng)超音速狀態(tài)下熵層的研究
基于粘性流體k-ε雙方程湍流模型,建立真空管道交通系統(tǒng)三維數(shù)學(xué)模型和物理模型,并在超音速狀態(tài)下對(duì)所建模型進(jìn)行數(shù)值模擬。
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SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的真空釬焊性研究
選用Pb80Sn20釬料,對(duì)體積分?jǐn)?shù)20%的SiCP/A356復(fù)合材料進(jìn)行真空釬焊,分析了表面鍍鎳和不鍍鎳對(duì)其真空釬焊性的影響,并通過金相顯微、能譜分析等手段研究了保溫時(shí)間對(duì)其釬焊接頭組織的影響。
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126kV模塊化三斷口真空斷路器靜、動(dòng)態(tài)均壓設(shè)計(jì)
采用有限元法計(jì)算了U型三斷口真空斷路器的分布電容參數(shù),并通過工頻分壓特性試驗(yàn)驗(yàn)證了計(jì)算的準(zhǔn)確性,根據(jù)靜態(tài)分壓比計(jì)算結(jié)果選擇了合適的靜態(tài)均壓電容值。
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用于真空熱處理爐的石墨電熱元件性能分析
本文將應(yīng)用理論分析和仿真分析相結(jié)合的方法科學(xué)的評(píng)價(jià)石墨作為電熱元件的優(yōu)缺點(diǎn),為真空電熱元件的設(shè)計(jì)提供依據(jù)。
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