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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 大尺寸ZnS真空氣相沉積爐的研制

    介紹了CVD ZnS 生產(chǎn)工藝、真空氣相沉積爐技術(shù)性能、設(shè)備結(jié)構(gòu)組成及特點。該真空氣相沉積爐是制備大尺寸ZnS 的關(guān)鍵設(shè)備。

  • 高壓真空開關(guān)管黃斑現(xiàn)象的剖析

    為分析高壓真空開關(guān)管黃斑現(xiàn)象，在本文中介紹了原因分析過程———運用掃描電鏡、X 射線熒光測厚等分析方法進(jìn)行了分析，結(jié)合生產(chǎn)實踐進(jìn)行了相應(yīng)的工藝實驗，找到了引起黃斑現(xiàn)象的原因和解決措施。

  • 卷心菜真空預(yù)冷方式的實驗研究

    本文選取卷心菜為研究對象，研究了其適宜的預(yù)冷終壓，對直接真空預(yù)冷、噴水真空預(yù)冷、噴水加保鮮膜預(yù)冷和表面包覆吸水膜等真空預(yù)冷方法進(jìn)行了降溫效果和失水率的實驗對比。

  • ITO 薄膜方塊電阻測試方法的探討

    針對ITO 薄膜方塊電阻測試方法，文章探討了常規(guī)的四探針法與雙電測四探針法在實際生產(chǎn)中的適應(yīng)性、準(zhǔn)確性。根據(jù)玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的結(jié)構(gòu)、物理特性不同特點，測試方塊電阻時應(yīng)注意的細(xì)節(jié)作

  • 2024鋁合金獲得高強(qiáng)韌性的冷軋真空熱處理工藝

    本文利用拉伸實驗機(jī)、透射電子顯微鏡以及EDS 能譜分析等現(xiàn)代化實驗分析手段，研究一種能對2024 合金工業(yè)化生產(chǎn)起指導(dǎo)意義的熱處理工藝，使該合金同時具有高的強(qiáng)度和較高的伸長率。

  • 中頻磁控濺射TiAlN薄膜的制備與性能研究

    本文采用中頻磁控濺射法，在硬質(zhì)合金YG6上制備了TiAlN薄膜， 通過XRD、SEM、EDS、體式顯微鏡、顯微硬度儀和劃痕儀分別對薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面與斷口形貌、成分以及主要性能進(jìn)行了測試分析。

  • 真空冷凍干燥超細(xì)杜仲粉體的研制

    本文對真空冷凍干燥超細(xì)杜仲粉體的研制方法、技術(shù)、設(shè)備及檢測質(zhì)量控制等作了闡述。

  • 氫化非晶硅薄膜制備及其橢圓偏振光譜測試分析

    本文采用射頻磁控濺射法制備了a-Si:H 薄膜，通過橢圓偏振光譜對不同氣壓下薄膜的厚度、折射率和消光系數(shù)進(jìn)行了測試和研究。

  • 旋轉(zhuǎn)圓柱磁控濺射陰極設(shè)計和磁場強(qiáng)度分析計算

    本文應(yīng)用ANSYS 有限元方法模擬分析單旋轉(zhuǎn)圓柱靶和孿生旋轉(zhuǎn)圓柱磁控濺射陰極表面磁場分布規(guī)律。

  • 電推進(jìn)器在GEO靜止衛(wèi)星上的安裝策略

    本文研究了分別在三軸穩(wěn)定衛(wèi)星的太陽電池陣列上和衛(wèi)星星體上安裝電推進(jìn)器時電推進(jìn)器的安裝布局，為GEO靜止衛(wèi)星電推進(jìn)器的安裝布局提供解決策略，從而為衛(wèi)星結(jié)構(gòu)設(shè)計提供參考。

  • 電子束物理氣相沉積熱障涂層抗沖蝕性能研究

    通過AIP和EB-PVD技術(shù)制備的熱障涂層，在其抗沖蝕性能評價方面仍然沒有詳細(xì)的報道。為此，本研究利用AIP法制備HY3涂層，利用EB-PVD制備YSZ陶瓷面層，對其組分、相結(jié)構(gòu)和抗沖蝕性能進(jìn)行系統(tǒng)研究，并對評價設(shè)備作介紹。

  • 共濺射法制備Cu摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)及性能的研究

    本文通過采用新的制備方法(直流- 射頻雙靶共濺射)成功制備出Cu摻雜的p 型ZnO薄膜。并分析了Cu靶濺射功率與氧分壓對薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。

  • 濺射鍍膜機(jī)理

    濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動。

  • 濺射鍍膜現(xiàn)象

    具有一定能量的離子入射到靶材表面時，入射離子與靶材中的原子和電子相互作用，出現(xiàn)一系列濺射鍍膜現(xiàn)象，其一是引起靶材表面的粒子發(fā)射，包括濺射原子或分子、二次電子發(fā)射、正負(fù)離子發(fā)射、吸附雜質(zhì)解吸和分解、光子

  • 襯底材料對空心陰極沉積氫化微晶硅薄膜的影響

    研究了襯底材料對微晶硅薄膜生長的影響，并在低溫下制備出微晶硅薄膜，這個對于柔性基材尤為重要。具有高等離子體密度和低電子溫度的空心陰極等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(MHC-PECVD)被用來生長微晶硅薄膜。

  • Cu（In,Al）（S,Se）2薄膜的三靶共濺射制備與性能表征

    本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共濺射的工藝制備了CIA合金預(yù)制膜，以濺射的方式引入摻雜的Al元素。之后再經(jīng)過不同溫度和時間下的固態(tài)源硫硒化退火，以期研究制備出具有黃銅礦結(jié)構(gòu)特征的CIASSe薄膜。

  • 柵絕緣層過孔的反應(yīng)離子刻蝕研究

    本文是在現(xiàn)有ADS產(chǎn)品工藝流程的基礎(chǔ)上，將Active層與GI層合并，采用兩步法進(jìn)行GIHole刻蝕。

  • 聚碳酸酯基片超疏水表面的制備與表征

    本文將以PC為基片，通過氧氣等離子體刻蝕和表面氟化處理來獲得PC基片的超疏水表面，并從表面形貌結(jié)構(gòu)和表面化學(xué)組成兩方面來分析PC基片超疏水化的過程以及磨損失效的原因。

  • 鐵氧體表面耐高溫Ni-V/Ag復(fù)合金屬化薄膜的研究

    在現(xiàn)有研究的基礎(chǔ)上，提出了以磁控濺射Ni-V/Ag復(fù)合層作為鐵氧體的金屬化膜層，進(jìn)一步將薄膜承受420℃高溫?zé)o鉛焊錫的時間提升到10s，并詳細(xì)研究了高溫下Ni-V/Ag膜層與焊錫的反應(yīng)過程與金屬間化合物(IMC)。

  • 欠氧化氣氛下等離子體輔助脈沖直流磁控濺射高純度Al2O3薄膜

    本文首先采用中頻孿生靶非平衡閉合磁場脈沖直流反應(yīng)磁控濺射方法，進(jìn)行了Al2O3薄膜的工藝研究，包括濺射電壓與氧流量的關(guān)系。在此基礎(chǔ)上，提出了射頻等離子體輔助濺射的方法，研究了射頻等離子體源功率與Al2O3光學(xué)性

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