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壓電陶瓷閥特性在反應(yīng)濺射AlN參數(shù)設(shè)置中的應(yīng)用

本文主要講述了壓電陶瓷閥特性在反應(yīng)濺射AlN參數(shù)設(shè)置中的應(yīng)用。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率

本文描述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率實(shí)驗(yàn)情況。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的溫度特性

本文講述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的溫度特性。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的遲滯特性

本文講述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的遲滯特性。

壓電陶瓷閥在真空磁控反應(yīng)濺射中的特性

在真空磁控濺射鍍膜線上, 采用PCV25型壓電陶瓷閥作為反應(yīng)氣體流量輸出的驅(qū)動(dòng)元件。研究了不同環(huán)境溫度下壓電閥偏置電壓Vo對N2輸出流量Q的影響。

基于多晶硅的曲面高反膜研究

本文提出并初步實(shí)現(xiàn)一種提高等離子顯示面板(PDP) 出光率的多層干涉型反射膜。

工業(yè)微波磁控管開關(guān)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

研究了磁控管驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)方法。主電路采用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，易于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，利用升壓高頻變壓器的漏感作為諧振電路的一部分，簡化了主電路設(shè)計(jì)。

磁過濾陰極電弧技術(shù)沉積高sp3鍵含量四面體非晶碳薄膜的工藝優(yōu)化研究

通過對不同基片偏壓下磁過濾器電流對四面體非晶碳( ta-C) 薄膜sp3鍵含量影響的研究, 探討了磁過濾陰極電弧技術(shù)制備高sp3 鍵ta-C 薄膜優(yōu)化工藝條件。

硬質(zhì)合金表面TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N梯度膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能

采用多弧離子鍍技術(shù), 使用Ti-Al-Zr合金靶和Cr單質(zhì)靶, 在WC-8%CO硬質(zhì)合金基體上制備了TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N多組元梯度膜。

晶體結(jié)構(gòu)對Er/Yb共摻TiO2薄膜熒光光譜的影響

通過對不同退火溫度下Er/Yb共摻TiO2薄膜的結(jié)構(gòu)和光致熒光光譜(PL) 的分析, 研究了退火處理所導(dǎo)致的晶體結(jié)構(gòu)變化對薄膜熒光光譜的影響。

涂層結(jié)構(gòu)對Ti-Al-N涂層氧化行為的影響

低出口壓力下噴嘴內(nèi)部空化流動(dòng)模擬分析

本文以真空噴射法制備聚合物薄膜為出發(fā)點(diǎn), 利用Ansys Fluent 和Gambit 軟件對低壓力下平口噴嘴內(nèi)的空化流動(dòng)進(jìn)行了模擬分析。

覆Os膜M型陰極高發(fā)射性能隨真空度變化的研究

本文開展了覆Os膜M型陰極高發(fā)射性能隨真空度變化的研究相關(guān)模擬研究。

休斯型耦合腔慢波結(jié)構(gòu)正向設(shè)計(jì)初步研究

本文提出了一種耦合腔行波管慢波結(jié)構(gòu)的快速設(shè)計(jì)方法, 可以初步確定滿足要求的耦合腔慢波結(jié)構(gòu)尺寸。

不同間隙條件下同軸型介質(zhì)阻擋放電的模擬與實(shí)驗(yàn)研究

不同間隙條件下同軸型介質(zhì)阻擋放電的模擬與實(shí)驗(yàn)研究主要目的是為了研究氣體間隙大小對介質(zhì)阻擋放電脫除NO 的影響。

Ka波段濾波器加載三間隙耦合腔輸出回路的仿真和測試

本文采用基于微波網(wǎng)絡(luò)理論的多間隙耦合腔輸出回路間隙阻抗冷測方法, 對Ka 波段濾波器加載三間隙耦合腔輸出回路進(jìn)行冷參數(shù)測試, 得到該回路的間隙阻抗頻率特性曲線與群時(shí)延曲線。

不同本底壓力下離子推力器電子反流失效的數(shù)值模擬

針對20cm氙離子推力器具體設(shè)計(jì)和工作參數(shù), 采用二維軸對稱模型的網(wǎng)格質(zhì)點(diǎn)和蒙特卡羅碰撞方法模擬計(jì)算了氙離子和氙原子在離子推力器柵極系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)。

SiO2對氟磷酸鈣真空碳熱還原反應(yīng)的影響

Al2O3-Cr多層中高溫選擇吸收薄膜的研究

本文提出基于Al2O3 介質(zhì)和金屬Cr 的多層結(jié)構(gòu)的選擇吸收膜系, 首先采用電子束熱蒸發(fā)在硅基底上沉積了單層Cr 薄膜, 通過橢偏儀測試并分析了Cr 薄膜的光學(xué)常數(shù)。

多層等離子體蝕刻技術(shù)的研究

提出了一種新的干法刻蝕技術(shù)-多層等離子體蝕刻, 充分利用腔體的空間布局, 布置多層電極, 并采用分層送氣裝置輸送放電氣體, 實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)進(jìn)行刻蝕, 可成倍提高產(chǎn)能。