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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • (TiZr)N硬質(zhì)膜的沉積工藝研究

    本文主要研究(TiZr)N硬質(zhì)膜的沉積工藝波動范圍及影響�？疾炝岁帢O靶電流、N2氣流量等工藝參數(shù)對膜層組織和性能的影響。

  • 連續(xù)式真空爐傳動系統(tǒng)到位開關(guān)的幾種型式

    本文以雙室真空油淬爐為連續(xù)式真空爐的代表性爐型進行分析說明，具體介紹了鋼在熱處理冷卻過程中的等溫轉(zhuǎn)變過程，以及傳感器設(shè)置位置與靈敏度的重要性。

  • 中頻真空感應(yīng)釬焊爐控制系統(tǒng)的設(shè)計

    針對中頻真空感應(yīng)爐控制系統(tǒng)要求開發(fā)了該控制系統(tǒng)，實現(xiàn)了多廠商、多種通訊協(xié)議的儀器儀表、控制器等與上位組態(tài)監(jiān)控軟件LabVIEW的通訊，及對系統(tǒng)干擾信號的處理。

  • 真空卷繞鍍膜技術(shù)研究進展

    本文從系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、參數(shù)控制和鍍膜方式等綜述了真空卷繞鍍膜技術(shù)研究進展。

  • 桿狀氧化鈹表面金剛石薄膜的生長

    本文利用一種新型線形微波等離子源以CH4和H2為反應(yīng)氣體在桿狀氧化鈹陶瓷表面進行金剛石膜沉積，研究了基底預(yù)處理對金剛石形核密度和膜的連續(xù)性，以及基底溫度對金剛石膜表面形貌和質(zhì)量的影響。

  • 空氣流量對45鋼離子氧氮共滲的影響

    本研究首次報道采用空氣、氮氣和氫氣作為氣源對45 鋼進行離子氧氮共滲，目的是探索離子滲氮過程中適量添加空氣，是否能像氣體氮化一樣起到顯著提高滲速并進一步改善組織性能的效果。

  • 真空中納秒脈沖下絕緣子表面電荷積聚對表面電場的影響

    本文采用靜電探頭法，測量得到納秒脈沖作用下多種絕緣子表面電荷的分布，并進一步計算了積聚電荷引起的電場分布，得到了其對表面電場分布的影響。

  • 鉛銻合金的真空蒸餾實驗研究

    本文采用真空蒸餾的方法進行Pb-Sb合金的分離，分別從理論計算和實驗兩方面系統(tǒng)研究了Pb-Sb合金真空分離的效果。

  • 真空開關(guān)電弧等離子體幾何形態(tài)研究

    本文利用高速攝像機對電弧幾何形態(tài)進行數(shù)字采集，運用圖像去噪聲、選取合適閾值方法，對采集數(shù)據(jù)進行形態(tài)學(xué)操作，得到內(nèi)部高能等離子體及電弧外部輪廓的時間-面積變化曲線。

  • 2016年我國真空包裝機產(chǎn)業(yè)布局趨勢

    據(jù)我國真空包裝機產(chǎn)業(yè)布局分析，由于我國經(jīng)濟發(fā)展的不平衡和城市化不夠的狀況，以及豆制品行業(yè)的特點所決定，小作坊、小企業(yè)生產(chǎn)的產(chǎn)品仍然占據(jù)了“半壁江山”。現(xiàn)對2016年我國真空包裝機產(chǎn)業(yè)布局趨勢分析。

  • 2016年我國真空包裝機行業(yè)技術(shù)特點

    真空包裝技術(shù)起源于20世紀40年代，我國真空包裝發(fā)展與80年代初期，盡管比歐洲發(fā)達國家較晚，但是隨著我國食品包裝工藝的迅速發(fā)展，真空包裝技術(shù)也在逐步提高。

  • 節(jié)能化和自動化是真空爐的發(fā)展方向

    科學(xué)技術(shù)是第一生產(chǎn)力，強國之夢也是綜合實力的體現(xiàn)，市場競爭中更要打造品牌，領(lǐng)先技術(shù)。自動化控制和器件的精細加工，特別是在超高真空爐性能的穩(wěn)定上有待精密器件制備水平的提高。

  • 硬質(zhì)涂層抗熱震性的研究方法與評價

    本文對硬質(zhì)涂層的熱震性做詳細的分析探討，并通過分析熱震損傷機制及表征方法，尋求提高硬質(zhì)涂層抗熱震性的途徑和方法。

  • 新型納米復(fù)合催化劑的研究進展

    本文綜述了新型納米多元復(fù)合催化劑從單質(zhì)到二元、多元，從貴金屬到非金屬的研究進展，以及在催化劑載體方面的研究。

  • 鋁合金強流脈沖電子束輻照熔化層尺寸數(shù)值模擬研究

    針對改性中不同束流情況引發(fā)的溫度場和融化層情況進行了仿真研究。通過對溫度場變化等結(jié)果的分析，發(fā)現(xiàn)僅增加輻照次數(shù)不能有效增加熔化層尺寸。

  • TiO2在e型電子槍蒸鍍時掃描模式的研究

    本文主要是對TiO2在e型電子槍蒸鍍時的掃描模式設(shè)定進行了研究，以此來調(diào)整TIO2在真空鍍膜時的特性，保證TiO2在形膜過程中獲得相對穩(wěn)定的良好狀態(tài)。

  • 磁控濺射中電磁場分布二維模擬

    本文采用計算機FORTRAN語言自主編程，通過建立通電線圈磁場的數(shù)學(xué)模型，對磁控濺射靶附近由通電線圈產(chǎn)生的磁場分布進行了二維數(shù)值模擬計算。

  • 電弧離子鍍中真空電弧穩(wěn)定性控制方法

    本實驗采用定制的多功能真空離子鍍膜機，以在TC4鈦合金基體表面制備了TiA1N涂層為背景，觀察不同鍍膜工藝條件下真空電弧的穩(wěn)定性。

  • 一種自封裝技術(shù)制備PMMA微流控通道方法研究

    本文結(jié)合濕法腐蝕技術(shù)、紫外固化納米壓印技術(shù)、熱壓納米壓印技術(shù)制備出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溝槽微結(jié)構(gòu)，基于局部加熱的自封裝技術(shù)成功制備出了PMMA 微流控通道。

  • 真空電阻爐加熱元件的研究與應(yīng)用進展

    本文綜述電阻式加熱真空熱處理爐中常用的金屬和非金屬加熱元件所用的材料特性，以及各種材料的優(yōu)缺點、適用場合、常用加熱元件的結(jié)構(gòu)形式等。

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