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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

基于宏單元實(shí)驗(yàn)的蔭罩式PDP結(jié)構(gòu)的優(yōu)化

分析了蔭罩式等離子體顯示板( SMPDP) 的優(yōu)點(diǎn)和存在的不足, 以提高PDP放電效率為目的, 提出了非對(duì)稱SMPDP結(jié)構(gòu)。
新型槽式跟蹤太陽(yáng)能集熱器的中高溫?zé)崂醚芯?/a>

采用新型導(dǎo)熱介質(zhì)，主要介紹了集熱裝置的熱性能實(shí)驗(yàn)方法，并著重對(duì)槽式跟蹤太陽(yáng)能集熱器集熱性能進(jìn)行了研究及分析，通過(guò)對(duì)槽式跟蹤熱管真空管集熱器理論值與試驗(yàn)值的比較
鎳硅顆粒膜的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射特性

提出采用鎳硅顆粒薄膜作為表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示的發(fā)射體材料，通過(guò)光刻和磁控濺射在兩電極（10 μm 間隙）之間制備30 nm 厚的鎳硅顆粒膜。
鍍膜裝置蒸發(fā)源發(fā)射形態(tài)與膜厚分布

根據(jù)蒸發(fā)源與基片之間的物理聯(lián)系入手，分析基片- - 蒸發(fā)源距離對(duì)基片涂層均勻性的影響，進(jìn)而對(duì)蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點(diǎn)和看法。
磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設(shè)計(jì)方法

在現(xiàn)有的理論基礎(chǔ)之上，對(duì)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了初步的建立和研究，系統(tǒng)的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)理念，不斷完善設(shè)計(jì)方法，并將設(shè)計(jì)方法分為鍍膜設(shè)備工程設(shè)計(jì)、鍍膜工藝設(shè)計(jì)和計(jì)算
白菜真空預(yù)冷熱質(zhì)遷移模型及實(shí)驗(yàn)研究

以柱狀白菜為研究對(duì)象，建立了熱質(zhì)遷移數(shù)學(xué)模型，并對(duì)該模型采用實(shí)驗(yàn)的方法加以驗(yàn)證。
電子束焊接：極窄的焊縫和可靠的連接

對(duì)于很深而且很窄的平面焊縫時(shí)，電子束焊接技術(shù)是一個(gè)非常可靠的工藝。它可以把角度變形和橫向收縮量及其它一些非理想的影響減到最小。
磁控濺射沉積二氧化釩薄膜及其電致相變特性研究

采用反應(yīng)射頻磁控濺射技術(shù)在熔融石英玻璃襯底上制備了組分單一的二氧化釩薄膜。
SiC薄膜材料理論模擬研究的動(dòng)態(tài)

SiC因其寬的禁帶寬度、高的電子飽和速度、大的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的熱導(dǎo)率和熱穩(wěn)定性等特性而成為制作高頻、大功率和耐高溫器件的理想材料。
LiNbO3壓電薄膜的研究進(jìn)展

LiNbO3因其優(yōu)異的壓電性能和聲表面波特性而被廣泛應(yīng)用于聲表面波器件中。
摩擦條件對(duì)摻鎢DLC膜摩擦磨損性能的影響

本研究利用SEM、AES、XRD、Raman 譜儀、納米壓痕儀、劃痕儀和球- 盤磨損實(shí)驗(yàn)機(jī)對(duì)摻鎢DLC膜的微觀結(jié)構(gòu)和摩擦學(xué)性能進(jìn)行了研究
旋轉(zhuǎn)圓柱靶濺射沉積產(chǎn)額分布

采用數(shù)值計(jì)算模型，計(jì)算了旋轉(zhuǎn)圓柱靶濺射產(chǎn)額分布。
高氣壓下氫化微晶硅薄膜的高速沉積

利用甚高頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（VHF- PECVD）制備了一系列微晶硅（μc- Si:H）薄膜。
高脈沖功率密度復(fù)合磁控濺射電源研制及放電特性研究

高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HPPMS）由于能夠產(chǎn)生較高的離化率而受到人們的重視。
AlYSi涂層組織結(jié)構(gòu)及抗燃?xì)鉄岣g性能

采用真空電弧離子鍍技術(shù)在K465鎳基高溫合金基材上制備了AlYSi沉積- 擴(kuò)散型涂層。
閉合磁場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍離化特性研究

應(yīng)用閉合磁場(chǎng)非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)，研究了濺射靶電流、偏壓和Ar 流量對(duì)偏流密度的影響。
飽水文物一次干燥過(guò)程的數(shù)值模擬

冷凍干燥是一種很好的保存出土的飽水文物的方法，因?yàn)樗苡行Х乐故湛s、開(kāi)裂、斷裂等現(xiàn)象的發(fā)生
PECVD法沉積氫化非晶硅薄膜內(nèi)應(yīng)力的研究

利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在硅基底上沉積了氫化非晶硅薄膜,通過(guò)納米壓入儀、電子薄膜應(yīng)力分布儀、傅里葉變換紅外光譜儀等表征技術(shù),研究了沉積時(shí)的工藝參數(shù)對(duì)薄膜內(nèi)應(yīng)力的影響,對(duì)薄膜的本征應(yīng)力、熱應(yīng)力進(jìn)
平面磁控濺射薄膜厚度均勻性的研究概述

在平面磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，薄膜厚度均勻性作為衡量薄膜質(zhì)量和成膜系統(tǒng)性能的一項(xiàng)重要指標(biāo)，得到了國(guó)內(nèi)外學(xué)者們的廣泛研究。
INCO718高溫合金釬焊工藝研究

介紹了INCO718 高溫合金的應(yīng)用及工藝特點(diǎn)，并對(duì)該材料的焊接性能進(jìn)行了深入的研究分析.