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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

VOx/TiOx/Ti多層薄膜的制備工藝與內(nèi)耗研究

用磁控反應(yīng)濺射法在玻璃和鉬片襯底上制備VOx/TiOx/Ti多層薄膜。用X射線衍射(XRD)、QJ31單臂電橋、薄膜內(nèi)耗儀等測(cè)試了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、電阻、內(nèi)耗。
一種全自動(dòng)超高真空電子束蒸發(fā)薄膜生長(zhǎng)系統(tǒng)

由于薄膜生長(zhǎng)均勻、沉積速率和膜厚易控、可制備大面積薄膜等特點(diǎn)，電子束沉積技術(shù)在超導(dǎo)薄膜、多層巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究。
氧離子束流密度對(duì)Ta2O5薄膜的影響

研究了低能量離氧子束流密度在離子輔助電子束蒸發(fā)沉積Ta2O5薄膜中的作用.
熱處理工藝對(duì)H13鋼組織和力學(xué)性能的影響

本文比較了H13鋼經(jīng)鹽浴分級(jí)淬火和真空高壓氣淬的淬火態(tài)的力學(xué)性能,分析了造成力學(xué)性能差異的原因。
真空鍍鋁紙與薄膜的氣體透過(guò)率測(cè)試方法

作為阻隔性材料的真空鍍鋁紙和膜，通常以氧氣透過(guò)率和水蒸氣透過(guò)率兩項(xiàng)指標(biāo)來(lái)考核其阻隔性能。
準(zhǔn)分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行為的研究

利用KrF準(zhǔn)分子激光對(duì)非晶硅薄膜的表層進(jìn)行了晶化。研究了激光能量密度和照射脈沖數(shù)對(duì)薄膜結(jié)晶度的影響，并對(duì)晶化后薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。
塑料表面濺射電磁屏蔽膜的研究

本文采用磁控濺射技術(shù)在聚酯塑料上制備出附著力大于5MPa、2GHz~4GHz頻率范圍內(nèi)屏蔽效能大于60dB的復(fù)合結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽膜，并研究了導(dǎo)電膜、導(dǎo)磁膜及其復(fù)合膜層的電磁屏蔽特性。
基底溫度對(duì)四元疊層硒化法制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜的影響

利用四元疊層硒化法制備了銅銦鎵硒（縮寫為CIGS）薄膜，重點(diǎn)分析了在疊層法制備CIGS薄膜過(guò)程中，基底溫度對(duì)CIGS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，表面形貌以及各種元素沿深度分布的影響。
不同測(cè)試條件下TiN薄膜的摩擦學(xué)特性研究

采用電弧離子鍍技術(shù)在45#鋼襯底表面沉積了TiN薄膜。用不同的儀器測(cè)試了在不同條件下TiN薄膜的摩擦學(xué)特性。
PI襯底上電沉積Cu薄膜的晶面擇優(yōu)取向

采用硫酸鹽電沉積法，利用X 射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)等手段研究了不同電沉積條件下在PI膜表面制備的Cu薄膜的晶面擇優(yōu)取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。
SiO2薄膜制備的現(xiàn)行方法綜述

SiO2薄膜的現(xiàn)行方法主要有磁控濺射、離子束濺射、化學(xué)氣相沉積、熱氧化法、凝膠－溶膠法等。本文系統(tǒng)闡述了各種方法的基本原理、特點(diǎn)及適用場(chǎng)合，并對(duì)這些方法做了比較。
直流反應(yīng)磁控濺射在3003鋁箔表面制備薄膜的研究

為有效提高3003鋁箔表面光澤度、比面積及強(qiáng)硬度，采用直流反應(yīng)磁控濺射的方法，在一定濺射參數(shù)條件下，選用高純鉬靶和鈦靶對(duì)3003鋁箔進(jìn)行濺射實(shí)驗(yàn)。
基于PLC的真空蒸發(fā)廢油處理自動(dòng)控制

本文介紹了PLC 在廢油處理設(shè)備自動(dòng)控制系統(tǒng)中的應(yīng)用。主要介紹了真空蒸發(fā)工藝及PC—PLC控制系統(tǒng)的主要功能等。
寬光譜監(jiān)控法鍍制高精度增透膜的研究

本文介紹了使用寬光譜監(jiān)控系統(tǒng)鍍制增透膜的基本原理和技術(shù)特點(diǎn)，寬光譜光學(xué)鍍膜監(jiān)控系統(tǒng)在鍍制寬帶增透膜等寬帶產(chǎn)品方面具有特有的優(yōu)勢(shì)。
制鹽工業(yè)水泵與風(fēng)機(jī)起動(dòng)方式的選擇

介紹了電動(dòng)機(jī)全壓起動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)全壓起動(dòng)和各種降壓起動(dòng)的特點(diǎn)進(jìn)行分析比較，同時(shí)介紹了起動(dòng)方式選擇要點(diǎn)及起動(dòng)方式選擇誤區(qū)。
電磁熱泵技術(shù)在真空制鹽中的應(yīng)用及其節(jié)能研究

電磁熱泵具有泵和電機(jī)之間無(wú)軸傳動(dòng)、安全靜密封、永不泄露及一體化的特點(diǎn)。本文在簡(jiǎn)要介紹電磁熱泵技術(shù)性能和特點(diǎn)的基礎(chǔ)上將其創(chuàng)造性的應(yīng)用于真空制鹽系統(tǒng)中，從而達(dá)到節(jié)能目的。
一種嶄新的鍍膜技術(shù)——等離子體束濺射

詳細(xì)描述一種等離子體高效濺射系統(tǒng)及應(yīng)用工藝。此種嶄新的濺射技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效及濺射鍍的高性能特點(diǎn), 特別在多元合金以及磁性薄膜的制備, 具有其他手段無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)。
新型等離子體束濺射鍍膜機(jī)

本文介紹了新型的等離子體束濺射鍍膜機(jī)的系統(tǒng)組成、特點(diǎn)、試驗(yàn)結(jié)果等內(nèi)容。該鍍膜機(jī)將等離子體發(fā)生和控制技術(shù)應(yīng)用于濺射鍍膜中，克服了磁控濺射的靶材利用率低及難以沉積鐵磁性材料的缺點(diǎn)。
電子束蒸發(fā)制備CdS多晶薄膜及性質(zhì)研究

采用電子束蒸發(fā)工藝在普通玻璃襯底上制備了硫化鎘(CdS) 多晶薄膜,研究了不同襯底溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌及光透過(guò)率的影響。
固溶體半導(dǎo)體Zn1-xMgxS薄膜性質(zhì)研究

以ZnS、Mg粉末為原料,應(yīng)用雙源真空蒸鍍法,在石英玻璃襯底上成功地制備了不同Mg含量x的三元固溶體半導(dǎo)體Zn12xMgxS 薄膜。