真空應(yīng)用
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非平衡磁控濺射的結(jié)構(gòu)和運(yùn)用
非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu),一種是其芯部磁場強(qiáng)度比外環(huán)高,磁力線沒有閉合。另一種是外環(huán)磁場強(qiáng)度高于芯部磁場強(qiáng)度,磁力線沒有完全形成閉合回路。
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平衡磁控濺射的概念和優(yōu)缺點(diǎn)
平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射,是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈,在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。
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碳化釩薄膜的力學(xué)性能分析
利用微力學(xué)探針表征碳化釩薄膜力學(xué)性能,其硬度和彈性模量分別達(dá)到35.5GPa 和358GPa。隨著C2H2 分壓的提高,薄膜形成六方結(jié)構(gòu)的γ-VC ,并逐漸產(chǎn)生非晶碳相,硬度和彈性模量隨之降低。
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碳化釩薄膜的成分與微結(jié)構(gòu)分析
利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力學(xué)探針等表征在Ar、C2H2 混合氣氛中通過反應(yīng)磁控濺射法制備了一系列不同碳含量的碳化釩薄膜的微結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。
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反應(yīng)濺射技術(shù)制備碳化釩薄膜的實(shí)驗(yàn)
采用在Ar2C2H2混合氣體中的射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)可以方便地合成碳化釩薄膜。但是,碳化釩薄膜的化學(xué)成分、相組成、微結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的力學(xué)性能對C2H2 分壓非常敏感。
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O2氣流量對ZAO薄膜沉積速率的影響
ZAO薄膜沉積速率隨O2氣流量的增加顯著降低, 靶面濺射模式由金屬模式轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸锬J,而且這種轉(zhuǎn)變趨勢在改變其他參數(shù)時依然明顯。
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直流反應(yīng)磁控濺射ZnO:Al薄膜的制備與膜厚的測量
直流反應(yīng)磁控濺射法制備ZAO薄膜具有低的沉積溫度,高的沉積速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等優(yōu)點(diǎn)。但是這種工藝的穩(wěn)定性不易控制。
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槽式真空熱管集熱器的火用效率分析與計算模型建立
分析了槽式真空熱管集熱器的熱效率和火用效率,并以此為基礎(chǔ)確定各個因素,主要是槽式集熱器的聚光比、光照強(qiáng)度、集熱流體的溫升對集熱效率和火用效率的影響。
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ITO薄膜的透射譜的建模及解譜
用直流磁控濺射法在普通載波片上制備了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分別在100、200、300 和400 ℃下退火1h.測量了退火前后幾個樣品的XRD 和透射率,利用橢偏解譜方法對幾個樣品的透射譜進(jìn)行建模及解譜.
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膜基結(jié)合力的劃痕法實(shí)驗(yàn)分析
在瑞士CSM儀器的微劃痕測試儀對真空多弧離子鍍設(shè)備制備的WC2Co/TiN膜基結(jié)合力進(jìn)行劃痕實(shí)驗(yàn),系統(tǒng)地介紹了如何利用MST劃痕儀所測的聲發(fā)射數(shù)據(jù)、摩擦力數(shù)據(jù)及光學(xué)、電子掃描劃痕形貌來綜合評定膜基結(jié)合力,并用WS292 劃
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真空觸發(fā)開關(guān)TVS的導(dǎo)通過程
正極性接線的真空觸發(fā)開關(guān)TVS 樣品經(jīng)觸發(fā)后能有效地開通,觸發(fā)成功率高,延時分散性比較小,燃弧穩(wěn)定,能夠在小電流過零時產(chǎn)生有效的截流。
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真空觸發(fā)開關(guān)(TVS)的觸發(fā)系統(tǒng)概述
針對場擊穿型真空觸發(fā)開關(guān)TVS觸發(fā)比較困難的特點(diǎn),在觸頭表面涂敷TiH2材料,利用TiH2的脫氫產(chǎn)生大量的初始等離子體,可以有效地降低觸發(fā)電壓,提高觸發(fā)可靠性。
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真空觸發(fā)開關(guān)(TVS)的基本結(jié)構(gòu)和工作過程
TVS的基本結(jié)構(gòu)主要包括一個絕緣外殼、一個金屬屏蔽罩、一對相距為d的主電極和一個觸發(fā)極,管內(nèi)真空度一般維持高真空。TVS的工作過程通常包括觸發(fā)階段和主間隙導(dǎo)通階段。
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真空吸盤技術(shù)在搬運(yùn)薄鈦板材中的應(yīng)用
介紹自行研制的一種用于專用設(shè)備上的自動上、下料機(jī)械手,論述真空吸盤技術(shù)的應(yīng)用、吸盤材料的選擇、吸力的計算、真空度、真空泵等的選擇,以及自動程序和機(jī)械手的自動化搬運(yùn)過程。
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