WS2納米管的電學(xué)和光電特性及其納米器件研究

2013-02-19 陳清 納米器件物理與化學(xué)教育部重點實驗室

WS2納米管的電學(xué)和光電特性及其納米器件研究

陳清

納米器件物理與化學(xué)教育部重點實驗室,北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院電子學(xué)系

  與石墨烯類似,硫化鉬和硫化鎢等無機(jī)材料也具有層狀結(jié)構(gòu),層間以范德瓦爾斯力相連,片層表面沒有懸掛鍵,特別是它們本身具有半導(dǎo)體特性,還能吸收可見光。上述優(yōu)異特性使它們成為研究熱點[1,2] 。塊體硫化鎢具有與太陽光能量相當(dāng)?shù)膸逗秃芨叩墓馕障禂?shù),在太陽能電池領(lǐng)域有很重要的應(yīng)用。1992 年R. Tenne 教授首次發(fā)現(xiàn)硫化鎢納米管[3] ,之后該納米管的機(jī)械、潤滑性和光電特性都得到了深入的研究[4] 。但到目前,對硫化鎢納米管電學(xué)的研究還很有限[5]。我們首次系統(tǒng)研究了單根硫化鎢納米管的電學(xué)特性和光電特性[6,7] 。主要結(jié)果如下。

  我們首次系統(tǒng)研究了單根硫化鎢納米管的電學(xué)特性。單根硫化鎢納米管器件的I-V 曲線表現(xiàn)為非對稱和非線性,表明接觸處存在勢壘。利用金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)模型[8]對測量結(jié)果進(jìn)行擬合,得到了載流子濃度、遷移率、電導(dǎo)率和源漏接觸的勢壘高度等重要電學(xué)參數(shù)。發(fā)現(xiàn)單根硫化鎢納米管的遷移率與塊體中的相當(dāng),而比之前報道的納米管的結(jié)果高幾個數(shù)量級。

  我們進(jìn)一步研究了水汽和氧氣吸附對電學(xué)特性的影響。發(fā)現(xiàn)在空氣中硫化鎢納米管的電導(dǎo)率和遷移率比在真空中小。分別在水汽、干燥的氧氣和干燥的氮?dú)猸h(huán)境中測量單根硫化鎢納米管的電學(xué)特性。發(fā)現(xiàn)水汽的吸附會降低納米管的載流子遷移率和電導(dǎo)率。原因可能是水分子的吸附會形成載流子束縛中心或庫侖散射中心。氧氣也有類似的作用,但是對納米管的影響比水汽小。氮?dú)獠挥绊懠{米管的電學(xué)特性。對樣品進(jìn)行抽真空或在110 度烘烤的干燥處理,可以有效地使吸附在納米管表面的水汽脫附,恢復(fù)單根硫化鎢納米管的電學(xué)特性。

  還研究了硫化鎢納米管的光電特性。該納米管制成的光電探測器對633 納米和785 納米的光有快的響應(yīng)(響應(yīng)時間至少在200 微米以內(nèi)),大的開關(guān)比和很高的外量子效率。

參考文獻(xiàn):

  (1) Z. Y. Yin, H. Li, L. Jiang, et al., ACS Nano, 6 (2012): 74-80.

  (2) L. T. Liu, S. B. Kumar, Y. Ouyang, et al., IEEE Trans. Elect. Devices, 58 (2011):3042-3047.

  (3) R. Tenne et al., Nature, 360 (1992): 3.

  (4) R. Tenne and M. Redlich, Chem. Soc. Rev., 39 (2010): 1423–1434.

  (5) H. E. Unalan, R. Tenne et al., IEEE Transactions on Electron Devices, 55 (2008):2988-3000.

  (6) C. Y. Zhang, S. Wang, L. J. Yang, et al., Appl. Phys. Lett., 100 (2012): 243101.

  (7) C. Y. Zhang, Z. Y. Ning, Y. Liu, et al., Appl. Phys. Lett., 2012, in press.

  (8) Z. Y. Zhang, K. Yao, Y. Liu, et al., Adv. Funct. Mater., 17 (2007): 2478–2489.