濺射鍍膜
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高功率脈沖磁控濺射制備TiNx涂層研究
本文利用高功率復(fù)合脈沖技術(shù)制備TiNx涂層,電源能量輸出采用直流與脈沖疊加形式,主要研究氮?dú)饬髁繉?duì)膜層性能的影響,并與直流磁控濺射沉積涂層進(jìn)行對(duì)比研究。
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基體偏壓對(duì)高功率脈沖磁控濺射制備類石墨碳膜的影響研究
采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)于Si基底表面制備了類石墨碳膜, 研究了基體偏壓對(duì)薄膜沉積速率、微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能及摩擦學(xué)性能的影響規(guī)律。
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基于PLC的磁控濺射溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文以西門子S7-300可編程控制器(PLC)為控制核心,通過(guò)觸摸屏構(gòu)成人機(jī)交換界面(HMI),論述了磁控濺射溫度控制系統(tǒng)的性能特征與控制方法。
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本底真空度對(duì)磁控濺射法制備AZO 薄膜的影響
采用直流磁控濺射方法在平板玻璃基體表面沉積AZO薄膜,研究了本底真空度對(duì)薄膜厚度、方塊電阻以及在300 ~1100nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)透過(guò)率的影響。
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光譜擬合法確定一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜材料的復(fù)數(shù)光學(xué)常數(shù)
為了獲得一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鑭鍶錳氧薄膜材料的復(fù)數(shù)光學(xué)常數(shù), 利用光學(xué)薄膜原理和數(shù)學(xué)優(yōu)化方法,對(duì)磁控濺射技術(shù)制備的不同厚度的鑭鍶錳氧薄膜。
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SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜的漏電特性研究
采用射頻反應(yīng)磁控濺射法在p-Si(100) 襯底上成功制備出SrHfON高k柵介質(zhì)薄膜, 并研究了Au/SrHfON/Si MOS 電容的漏電流機(jī)制及應(yīng)力感應(yīng)漏電流(SILC)效應(yīng)。
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航天器柔性熱控薄膜研究現(xiàn)狀
環(huán)境至關(guān)重要。本文針對(duì)空間熱控技術(shù)發(fā)展要求, 綜述了國(guó)內(nèi)外柔性熱控薄膜材料的技術(shù)指標(biāo)以及應(yīng)用現(xiàn)狀。
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真空環(huán)境中多場(chǎng)耦合對(duì)Au/Cu/Si薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響
采用磁控濺射方法在Si基底上制備了Au/Cu薄膜。利用掃描俄歇微探針納米化分析技術(shù)進(jìn)行表面成分分析與深度剖析, 研究在真空環(huán)境中, 紫外輻照、微氧氧含量及處理溫度等因素作用對(duì)Au/ Cu薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響。
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離軸磁控濺射生長(zhǎng)鈣鈦礦外延薄膜
本文從磁控濺射原理出發(fā)分析離軸磁控濺射相對(duì)于其他外延薄膜生長(zhǎng)方式的優(yōu)勢(shì), 介紹了離軸磁控濺射的發(fā)展。
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可調(diào)脈沖功率(MPP)磁控濺射電源研制及放電特性的研究
可調(diào)脈沖電源MPP(modulated pulsed power)磁控濺射技術(shù)是一種新型的高功率磁控濺射技術(shù)。
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直流磁控濺射中磁場(chǎng)強(qiáng)度和陰極電壓對(duì)圓平面靶刻蝕形貌的影響
本文借助Comsol和Matlab軟件模擬了直流磁控濺射圓平面靶系統(tǒng)的磁場(chǎng)分布和荷電粒子分布,對(duì)不同磁場(chǎng)強(qiáng)度和陰極電壓條件下的荷電粒子分布進(jìn)行了模擬分析。
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工作氣壓對(duì)室溫磁控濺射CIGS膜的影響
研究了工作氣壓對(duì)磁控濺射法制備CIGS薄膜的影響, 采用X 射線衍射, 掃描電鏡, X 射線螢光光譜和X 射線能量色散譜分析了膜層的組織和成分。
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射頻磁控濺射沉積Al/Al2O3納米多層膜的結(jié)構(gòu)及性能
運(yùn)用射頻磁控濺射技術(shù)在Si(100) 基片及40Cr鋼基體上制備了調(diào)制周期K= 60nm, 調(diào)制比G= 0.25~3的Al/A12O3納米多層膜。
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