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高量子效率和波長熱穩(wěn)定性308nm GaN/AlN量子點紫外LED的制備

本文通過金屬有機物氣相外延方法，在(0001)面藍寶石襯底上成功地生長了以GaN/AlN 量子點代替AlGaN量子阱作為有源區(qū)的紫外LED 外延片，并首次制備了電致發(fā)光波長為308 nm 的GaN/AlN 量子點紫外LED 器件。

超長氧化釩納米線的制備與表征

五氧化二釩是一種被廣泛研究的高比容量鋰離子電池陰極材料。

Ni，Cu納米線陣列以及Ni/Cu超晶格納米線陣列的光學

在本文中，對這種納米線陣列結構進行了光學實驗測量研究。

中空金屬納米球等離激元以及表面等離激元模式研究

在本文中，理論研究了中空金納米小球的電子子能帶結構以及等離激元和表面等離激元模式。

金屬-半導體納米異質(zhì)結構的能量轉(zhuǎn)移動力學研究

金納米顆粒熒光光譜特性研究

在本文中，研究了兩種不同大小的金納米顆粒的熒光激發(fā)光譜和熒光發(fā)射光譜特性。

石墨表面卟啉分子的電致發(fā)光特性研究

在本文中，利用石墨(HOPG)作為襯底，對HOPG 表面多層TPP 卟啉分子膜的STM 誘導發(fā)光特性進行了深入的研究。

真空電子束表面造型技術的實現(xiàn)方法及試驗研究

本文提出了一種基于圖像掃描的真空電子束表面加工方法。

鎳緩沖層對碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射特性的影響

研究了鎳緩沖層對碳納米管薄膜在強流脈沖發(fā)射模式下的發(fā)射電流和發(fā)射穩(wěn)定性的影響。

基于α-Si TFT 的AM-FED 器件的研究與仿真分析

研發(fā)人員設計了三極結構的FED 顯示器件，在陰陽極板之間加入了柵極來收集電子。但是三極結構并不能徹底解決驅(qū)動電壓高,以及顯示均勻性差的問題。

場致發(fā)射顯示器驅(qū)動系統(tǒng)研究

本文主要介紹場致發(fā)射顯示器的結構原理發(fā)展及應用和FED 驅(qū)動系統(tǒng)技術的研究。

冷壁法制備大發(fā)射電流密度復合陰極及其性能研究

碳納米管(CNT)又是場致發(fā)射陰極的首選材料，其在電子、機械和化學方面具有獨特特性，有較低的逸出功，極高的縱橫比，理論上可實現(xiàn)106 A/cm2 的場致發(fā)射電流密度。

平行排列的直立少層石墨烯的可控制備研究

直立少層石墨烯由于具有原子級尖銳的邊緣，因而場發(fā)射增強因子較大，并具有優(yōu)異的電子傳輸特性和二維的導熱區(qū)域，使其在場發(fā)射器件上擁有很好的應用潛力。

不同金屬襯底制備碳納米管的生長差異及其場發(fā)射特性

基于碳納米管冷陰極的平面光源、X 射線管和微波管等，具有一定的工業(yè)應用前景。

基于郎穆爾探針的低溫低壓等離子體診斷

朗繆爾探針因其結構簡單、易于操作、可寬范圍測定等離子體參數(shù)等優(yōu)點，已經(jīng)成為一種重要的等離子體診斷方法。

造渣氧化精煉的原理

造渣精煉工藝是在冶金級硅中加入熔點高于冶金級硅的精煉渣, 并在硅和渣的熔點溫度之間進行氧化精煉。

蒸發(fā)制備鋅鎂合金鍍層中鋅鎂層的擴散研究

本文在鍍鋅鋼板表面采用真空熱蒸發(fā)鍍鎂, 再由快速退火工藝形成鋅鎂合金鍍層。通過X 射線衍射、二次離子質(zhì)譜和掃描電鏡分析了在退火過程中鋅、鎂層的擴散過程, 并通過鹽霧試驗和電化學測試研究擴散過程對鋅鎂合金鍍層

陽極氧化電壓對TiO2納米管陣列生長及場發(fā)射性能的影響

利用陽極氧化法在純鈦表面制備了規(guī)則有序的TiO2 納米管陣列, 應用場致發(fā)射掃描電子顯微鏡、X 射線光電子能譜對納米管陣列表面形貌、斷面結構及元素組成進行表征, 并對所得樣片的場發(fā)射性能進行測試.

利用頻域求解器模擬計算諧振腔的諧振特性

以“通過法測品質(zhì)因數(shù)”的冷測實驗為理論基礎, 通過理論分析、數(shù)值模擬和冷測實驗證明了利用三維電磁仿真軟件的頻域求解器也能模擬獲得涂覆衰減材料的諧振腔本征模的諧振特性。

基于行內(nèi)MPD極值的自適應灰度編碼PDP畫質(zhì)提升方法

為改善動態(tài)偽輪廓( DFC) 及其引起的灰度級損失, 提出一種基于行內(nèi)運動圖像干擾(MPD) 極值的自適應子場編碼方法。