真空應(yīng)用
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二維亞波長結(jié)構(gòu)石英紫外壓印模板的制備
利用紫外光刻和反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在石英襯底上制備二維亞波長結(jié)構(gòu)的壓印模板, 并對(duì)模板進(jìn)行表面修飾。研究了主要刻蝕工藝參數(shù)對(duì)刻蝕速率及刻蝕形貌的影響。
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磁控濺射MoS2/W復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)與摩擦學(xué)性能研究
采用磁控濺射法, 用純MoS2/ W 雙靶在模具鋼Cr12 和硅基片上濺射MoS2/ W 復(fù)合納米薄膜, 通過X 射線衍射儀、能譜儀、掃描電子顯微鏡對(duì)薄膜的成分和結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。
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沉積氣壓對(duì)納米晶硅薄膜晶化率與電輸運(yùn)性能的影響
采用熱絲化學(xué)氣相沉積法在不同氣壓( 1~8Pa) 下沉積了p型納米晶硅薄膜, 研究了沉積氣壓對(duì)薄膜晶化率和電輸運(yùn)性能的影響。
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超短電子脈沖展寬的外場(chǎng)依賴性分析
根據(jù)已有文獻(xiàn)研究結(jié)果, 建立了Boersch 效應(yīng)電子脈沖展寬物理分析模型, 確立了以時(shí)間彌散特征參量為核心參數(shù)的電子脈沖展寬表征理論, 以此為基礎(chǔ)分析了超短電子脈沖展寬對(duì)外場(chǎng)的依賴性。
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Ka波段二次諧波回旋速調(diào)管放大器的優(yōu)化設(shè)計(jì)與分析
設(shè)計(jì)了一支Ka波段二次諧波回旋速調(diào)管放大器, 并利用基于廣義電報(bào)方程的時(shí)域自洽非線性理論模型, 對(duì)設(shè)計(jì)的回旋速調(diào)管進(jìn)行了數(shù)值模擬。
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Al-Sn共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)與光電性能研究
在固定ZnO:Al(AZO) 靶濺射功率不變的條件下, 研究了Sn 靶濺射功率對(duì)ATZO 薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、表面形貌、電學(xué)和光學(xué)性能的影響。
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真空玻璃隔熱原理分析及實(shí)驗(yàn)
真空玻璃傳熱系數(shù)與真空壓強(qiáng)正相關(guān),真空度決定真空玻璃隔熱性能;真空玻璃雙面鍍低輻射膜隔絕了較多的輻射熱交換,其效果比單面鍍膜好。
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金屬導(dǎo)電細(xì)絲類有機(jī)存儲(chǔ)器的動(dòng)態(tài)阻變過程
本文探討了具有雙極性轉(zhuǎn)變現(xiàn)象的Cu/P3HT:PCBM/ITO 結(jié)構(gòu)中的動(dòng)態(tài)阻變過程。
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等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備石墨薄膜
本課題利用PECVD方法在銅箔上沉積出石墨薄膜。借助于光學(xué)顯微鏡,Raman 光譜,SEM 等手段對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)及成分進(jìn)行了分析。
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AlMgB14-TiB2 納米復(fù)合涂層低摩擦機(jī)理的研究
為了進(jìn)一步了解該復(fù)合涂層的微觀潤滑機(jī)制,使用磁控濺射技術(shù)分別制備了AlMgB14涂層和TiB2涂層,并使用共濺射技術(shù)制備了AlMgB14-TiB2納米復(fù)合涂層。
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等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備石墨烯現(xiàn)狀及應(yīng)用研究發(fā)展
利用PECVD方法制備石墨烯具有基本溫度低,成膜質(zhì)量好,生長面積大,透明度高等特點(diǎn),近年來逐漸成為制備高質(zhì)量石墨烯的發(fā)展方向。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜