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TiO2/SiOxNy/SiO2層疊結(jié)構(gòu)柵介質(zhì)的電容-電壓特性研究

本文討論了以射頻磁控濺射為主要工藝制備的TiO2/SiOxNy/SiO2結(jié)構(gòu)高k柵介質(zhì)。

真空墻的制備、特點(diǎn)及其應(yīng)用

本文主要講述了真空墻的制備技術(shù)、特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域。

真空澆注技術(shù)在變壓器線圈制造中的應(yīng)用

介紹了樹脂真空澆注技術(shù)在干式變壓器線圈制造領(lǐng)域的應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)了制造優(yōu)質(zhì)的、具有固體絕緣特征的變壓器線圈，必須有一套完整的、與線圈結(jié)構(gòu)相適配的樹脂體系和澆注設(shè)備。

磁控濺射法制備NiZnCo鐵氧體磁性薄膜的后退火處理研究

研究了后退火處理對(duì)磁控濺射法制備NiZnCo 鐵氧體磁性薄膜的成分、組織及性能影響。

硅在紅外光學(xué)薄膜中的應(yīng)用研究

介紹了硅的理化特性以及在光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)中的應(yīng)用特點(diǎn)。

Sn摻雜CdO透明導(dǎo)電薄膜的制備和光電性能研究

通過脈沖激光法在石英玻璃基底上沉積了錫摻雜氧化鎘(Sn- CdO)透明導(dǎo)電薄膜。X 射線衍射，分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)儀檢測(cè)了薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能。

一種單孔真空注油新方法

本文提出一種新的工藝，能夠滿足對(duì)設(shè)備進(jìn)行真空注油的要求，特別適合只有一個(gè)注油口的設(shè)備。

六種石墨烯的制備方法介紹

本文介紹了6種石墨烯材料的制備方法：機(jī)械剝離法、化學(xué)氧化法、晶體外延生長(zhǎng)法、化學(xué)氣相沉積法、有機(jī)合成法和碳納米管剝離法等。

化學(xué)氣相沉積法制備高質(zhì)量石墨烯

利用液態(tài)銅的良好流動(dòng)性及均勻性等特點(diǎn)消除了所得石墨烯的晶界，制備出了高質(zhì)量大面積的單層石墨烯薄膜。

一種電子碰撞型離子源性能的數(shù)值模擬研究

建立了一種電子碰撞型離子源模型，分析了離子源各參數(shù)對(duì)聚焦和離子引出效率的影響。

銀錫合金的加鋅提銀研究

本文考慮利用加鋅提銀的方法回收銀

真空鈣熱還原二氧化鈦制備高純度鈦粉的研究

用金屬鈣做還原劑直接還原TiO2 制備金屬鈦是一種流程短，成本較低的新工藝。

真空蒸餾分離鉛銀合金的研究

利用Pb 與Ag 飽和蒸汽壓間的差距可以有效實(shí)現(xiàn)鉛銀合金的分離，理論上可以得到純度達(dá)到99.9%的銀。

真空蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)源的種類及工作方式

蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之汽化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應(yīng)加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。

真空蒸發(fā)鍍膜過程中的真空條件

增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。

真空蒸發(fā)鍍膜的物理過程

金屬薄膜表面微裂紋萌生行為的分子動(dòng)力學(xué)研究

基于分子動(dòng)力學(xué),對(duì)連續(xù)載荷作用下的帶有缺陷的銅金屬薄膜進(jìn)行模擬分析。

真空絕熱板部件真空出氣性能及機(jī)理分析

真空絕熱板(VIPs)芯材放氣機(jī)理

對(duì)構(gòu)成真空絕熱板VIPs的內(nèi)部芯材的放氣性能進(jìn)行了全面總結(jié)。

真空絕熱板(VIPs)表面隔膜的放氣性能與放氣機(jī)理

對(duì)構(gòu)成VIPs 的表面隔膜的放氣性能進(jìn)行了全面總結(jié)。