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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

高頻半橋直流磁控濺射電源設(shè)計(jì)

穩(wěn)定可靠的直流電源是直流磁控濺射鍍膜質(zhì)量的關(guān)鍵，本文采用開關(guān)頻率為50 kHz 的半橋拓?fù)�，對主回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
真空絕熱板(VIP)的外觀及制作流程

本文描述了真空絕熱板(Vacuum Insulated Panel, VIP)的外觀及制作流程。
常用的高阻隔薄膜材料及其在真空絕熱板的應(yīng)用及發(fā)展趨勢

本文主要講述了常用的高阻隔薄膜材料及其在真空絕熱板的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。
真空絕熱板(VIP)的市場應(yīng)用及發(fā)展前景分析

本文講述了真空絕熱板(VIP)在一些行業(yè)的應(yīng)用，以及真空絕熱板(VIP)的未來發(fā)展前景。
真空絕熱板(VIP)的結(jié)構(gòu)原理及關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)

本文講述了真空絕熱板(VIP)的結(jié)構(gòu)原理及三項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)。
真空絕熱板熱橋效應(yīng)數(shù)值分析及優(yōu)化

影響真空絕熱板熱橋效應(yīng)的主要因素包括板材厚度、芯層導(dǎo)熱系數(shù)、隔氣結(jié)構(gòu)導(dǎo)熱系數(shù)及厚度等,并揭示其影響規(guī)律。
減小真空絕熱板(VIP)熱橋效應(yīng)的幾個(gè)措施

在實(shí)際生產(chǎn)過程中就可以有針對性的采取相應(yīng)措施來減小真空絕熱板(VIP)熱橋效應(yīng)的影響，主要體現(xiàn)在原材料的選擇、加工工藝的設(shè)計(jì)及使用場合的要求。
隔氣結(jié)構(gòu)厚度與導(dǎo)熱系數(shù)對真空絕熱板(VIP)熱橋效應(yīng)的影響

本文分別講述了隔氣結(jié)構(gòu)厚度與導(dǎo)熱系數(shù)對真空絕熱板(VIP)熱橋效應(yīng)的影響。
真空絕熱板(VIP)芯材導(dǎo)熱系數(shù)對熱橋效應(yīng)的影響

真空絕熱板(VIP)芯材導(dǎo)熱系數(shù)是表征VIP 整體絕熱性能的重要參數(shù)，其值約等于多孔介質(zhì)芯材在高真空狀態(tài)下表觀熱導(dǎo)率。
真空絕熱板(VIP)厚度對熱橋效應(yīng)的影響

真空絕熱板(Vacuum Insulation Panel, VIP)的厚度是影響邊緣熱橋效應(yīng)的重要因素之一，也是影響VIP 整體絕熱效果的重要參數(shù)。
真空絕熱板(VIP)熱橋的數(shù)學(xué)模型及分析

本文講述了真空絕熱板(Vacuum Insulation Panel, VIP)數(shù)學(xué)模型建立及相關(guān)分析。
真空絕熱板(Vacuum Insulation Panel, VIP)的熱橋形成機(jī)理

本文就重點(diǎn)講述了真空絕熱板(Vacuum Insulation Panel, VIP)的熱橋形成機(jī)理。
負(fù)偏壓對多弧離子鍍TiN薄膜結(jié)構(gòu)和沉積速率的影響

采用多弧離子鍍設(shè)備在拋光后的高速鋼表面沉積TiN 薄膜,在其他參數(shù)不變的情況下，著重考察偏壓對薄膜的沉積速率的影響。
不同弧源電流TiN薄膜的表面形貌及其摩擦學(xué)性能研究

本文使用多弧離子鍍膜設(shè)備，采用不同的弧源電流制備了TiN 薄膜，對其硬度、表面形貌以及摩擦系數(shù)等進(jìn)行了測試，從電弧沉積的物理機(jī)制角度詳細(xì)分析了弧源電流對TiN 薄膜表面熔滴的影響。
弧源電流對TiN薄膜摩擦系數(shù)的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜摩擦系數(shù)的影響。
弧源電流對TiN薄膜硬度的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜硬度的影響。
弧源電流對TiN薄膜沉積速率的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜沉積速率的影響。
弧源電流對TiN薄膜表面形貌的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜表面形貌的影響。
弧源電流對TiN薄膜結(jié)構(gòu)影響的實(shí)驗(yàn)材料與方法

本文講解了弧源電流對TiN薄膜結(jié)構(gòu)影響的實(shí)驗(yàn)材料與方法。
射頻電感耦合離子源放電室內(nèi)放電等離子體的二維磁流體模擬研究

為了研究平面盤香形射頻離子源等離子體放電特性，對射頻電感耦合離子源內(nèi)的放電等離子體運(yùn)用磁流體動力學(xué)建立二維磁流體模型進(jìn)行數(shù)值模擬，得到了放電室內(nèi)等離子體參數(shù)分布。