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真空應用

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

熱處理對水霧化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯性能的影響

采用水霧化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉制備出了高頻特性較好的磁粉芯。研究了去應力退火和磁場退火對磁粉芯磁性能的影響。
鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結(jié)構(gòu)與腐蝕性能

金屬鈾的化學性質(zhì)十分活潑,極易發(fā)生氧化腐蝕。本文采用磁過濾多弧離子鍍在金屬鈾表面制備Ti過渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
雙間隙諧振腔耦合縫調(diào)諧結(jié)構(gòu)的分析與模擬

軟件模擬與理論分析結(jié)果一致,驗證了該調(diào)諧結(jié)構(gòu)的有效性,為多間隙耦合腔高頻電路的研制和進一步展寬速調(diào)管輸出帶寬具有重要的參考意義
時變等離子體覆蓋導體圓柱的雙站散射特性分析

研究時變等離子體覆蓋導體圓柱的雙站散射特性對等離子體隱身技術(shù)和太空再入體的跟蹤識別技術(shù)具有重要的意義。
溶膠凝膠法制備Cu摻雜ZnO納米薄膜及其表征

采用溶膠-凝膠法制備了不同Cu摻雜濃度的ZnO薄膜,并通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外可見分光光度計和伏安特性測試等研究了Cu摻雜量對薄膜微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電特性的影響。
脈沖激光沉積法制備立方焦綠石結(jié)構(gòu)的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反應法合成具有焦綠石立方結(jié)構(gòu)的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脈沖激光沉積法在Pt/SiO2/Si(100)基片制備立方BZN薄膜。研究了隨襯底溫度的變化,薄膜的結(jié)晶性能,微觀形貌以及介電性能的差異。
基于溶膠凝膠法的二氧化錫復合薄膜的制備及表征

以金屬無機鹽SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和無水乙醇為原料,用溶膠凝膠法制備了SnO2和CuO摻雜的CuO-SnO2薄膜,并用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和電化學工作站對樣品進行了表征。
基于差異進化算法的橢偏測量數(shù)據(jù)反演

為解決橢偏法測量薄膜厚度和折射率實驗數(shù)據(jù)處理較為復雜的問題,采用一種新的基于群體智能的優(yōu)化算法—差異進化算法處理實驗數(shù)據(jù);以單層吸收薄膜的測量為例,利用該算法進行數(shù)據(jù)處理,
SiO2/聚酰亞胺/SiO2復合薄膜絕緣性能及基于聚酰亞胺復合薄膜的后柵型場致發(fā)射性能的研

使用射頻磁控濺射和化學溶液法制備了SiO2/聚酰亞胺(PI)/SiO2絕緣膜。分別使用X射線衍射、掃描電鏡對薄膜結(jié)構(gòu)和薄膜表面形貌進行了表征
p型微晶硅膜的研究及其在異質(zhì)結(jié)太陽電池中的應用

首先采用射頻等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)制備了電導率為0.13 S/cm、晶化率為50%的p型微晶硅,然后制備了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)異質(zhì)結(jié)太陽電池。
In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析

以在UHV/MBE-STM聯(lián)合系統(tǒng)上生長的19ML的InGaAs/GaAs樣品為研究對象,先在GaAs(001)襯底上外延生長0.37μm的GaAs緩沖層,再外延生長19ML的InGaAs,通過樣品生長速率大致確定其組分為In0.14Ga0.86As
Ka波段TE01�；匦胁ü軐拵л斎腭詈掀鞯脑O計

Ka波段TE01�；匦胁ü艿妮斎腭詈掀鲗⒕匦尾▽е休斎氲腡E10模轉(zhuǎn)化為圓波導中TE01模的行波場,以實現(xiàn)對回旋電子注角向速度的調(diào)制。
真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)的混合斷路器開斷容量增益特性分析

基于真空和SF6氣體兩種不同滅弧介質(zhì)的滅弧特點,分析真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)組成的混合斷路器可獲得更大開斷能力的機理。
H2O+O2氣氛下電子束蒸鍍制備MgO介質(zhì)保護膜特性研究

采用電子束蒸鍍法在H2O+ O2氣氛下制備了MgO介質(zhì)保護膜,通過掃描電鏡、X射線衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌與晶體結(jié)構(gòu),研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜對等離子屏放電特性的影響。
新型前柵場發(fā)射器件的研究

采用刻蝕型介質(zhì)制作前柵場發(fā)射器件。該器件中陰柵結(jié)構(gòu)的形成是利用刻蝕工藝刻蝕介質(zhì)層,一次性實現(xiàn)柵孔和陰極電極的連通,最后利用電泳沉積工藝轉(zhuǎn)移碳納米管制備成陰極發(fā)射點陣。
后柵結(jié)構(gòu)SnO2場致發(fā)射顯示器件的研制

采用高溫氣相法生長SnO2納米線,掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀分析表明所生長的SnO2納米線大小均勻,直徑約為150 nm,長可達10μm。
真空碳熱還原法煉鋁的研究進展

綜述了目前氧化鋁碳熱還原法及碳熱還原- 鹵化法煉鋁的研究進展, 重點總結(jié)了上述煉鋁法的機理及研究現(xiàn)狀,討論了金屬鋁的制備方法及其影響因素, 并指出了制約上述各煉鋁法金屬鋁直收率提高的影響因素。
變壓器真空干燥方法研究

本文以變壓器干燥為例，簡要描述了在變壓器真空干燥過程中的方法，并進一步闡述了“循環(huán)壓力法”對變壓器進行真空干燥處理的原理、所需的設備及真空干燥真正結(jié)束的判斷依據(jù)和判斷方法。
無極燈啟動特性研究

為了研究提高無極燈光效的方法, 本文測量了無極燈啟動階段的電參數(shù)和發(fā)射光譜, 分析了點燈后阻抗、Hg原子光譜強度、Ar 原子光譜強度、等離子體參數(shù)和放電模式隨時間的變化規(guī)律。
食品真空冷凍干燥工藝的研究

基于真空冷凍干燥產(chǎn)品的市場現(xiàn)狀扼要分析了真空冷凍干燥技術(shù)在食品應用中的注意問題。