真空應(yīng)用
推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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對(duì)真空預(yù)壓法中真空度的一些認(rèn)識(shí)
真空度是真空預(yù)壓法中一個(gè)很關(guān)鍵的問題，成功解決真空度上的一些問題將對(duì)真空預(yù)壓法的發(fā)展起很大的作用。
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直流熱陰極PCVD法摻氮納米金剛石薄膜形貌及結(jié)構(gòu)的影響
采用直流熱陰極等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）技術(shù)，通過在CH4/H2的混合反應(yīng)氣源中通入不同流量的N2,合成了摻氮納米金剛石薄膜。
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CHN薄膜的制備方法與工藝研究
采用空心陰極等離子化學(xué)氣相沉積方法,以NH3/H2的混合氣體及CH4氣體為原料反應(yīng)氣體,成功地制備了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉積速率與直流電壓及反應(yīng)氣體流量的關(guān)系。
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砂土物料真空吸送分離系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與數(shù)值模擬
介紹了砂土物料真空吸送分離系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原則，運(yùn)用計(jì)算流體 動(dòng)力學(xué)軟件對(duì)氣固兩相流的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)進(jìn)行了模擬，獲得了分離系統(tǒng)內(nèi)氣流壓力等值線圖和流跡，計(jì)算了分離系統(tǒng)的壓力損失。
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直流熱陰極PCVD法間歇生長(zhǎng)模式間歇周期的研究
采用直流熱陰極PCVD方法間歇生長(zhǎng)模式，在CH4-H2氣氛常規(guī)制備微米晶金剛石膜的參數(shù)條件下，利用人工干預(yù)二次形核工藝，研究了間歇周期變化對(duì)制備納米晶金剛石膜的影響。
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高粘度液體真空攪拌脫泡理論分析與計(jì)算
真空攪拌脫泡是高粘度液體的一種有效脫泡方式。對(duì)于高粘度液體中的氣泡, 單靠自身的浮力上升, 其速度是極其緩慢的, 攪拌槽內(nèi)生成的氣泡主要依靠攪拌被帶到近液面而逸出。
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局部抽真空對(duì)優(yōu)化擠出吹塑中空工業(yè)制件壁厚均勻性的研究
從擠出吹塑中空工業(yè)制件壁厚不均勻原因分析出發(fā), 提出擠出吹塑成型中局部抽真空的方法, 建立了抽真空系統(tǒng)。
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真空鍍膜機(jī)雙軸磁性液體密封的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究
為了解決真空鍍膜機(jī)雙軸密封問題, 對(duì)真空鍍膜機(jī)雙軸采用磁性液體密封, 設(shè)計(jì)了磁性液體密封整體結(jié)構(gòu)、密封極齒和永久磁鐵。
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BEPCⅡ真空內(nèi)扭擺磁鐵波紋管RF屏蔽結(jié)構(gòu)的改進(jìn)
BEPCⅡ真空內(nèi)扭擺磁鐵的波紋管在電子束流的高流強(qiáng)運(yùn)行中發(fā)生了損傷和真空泄漏。對(duì)損傷原因進(jìn)行了分析,懷疑是波紋管RF屏蔽結(jié)構(gòu)的彈簧片與接觸套之間存在間隙,導(dǎo)致了高次模泄漏。
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Al2O3緩沖層對(duì)以ZnO∶Al為陽(yáng)極的有機(jī)電致發(fā)光器件性能的影響
采用直流磁控濺射法制備ZnO∶Al(AZO)透明導(dǎo)電薄膜,薄膜電阻率為5.3×10-4Ω.cm,可見光區(qū)平均透過率大于85%。
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8mm三次諧波潘尼管的理論設(shè)計(jì)與粒子模擬研究
潘尼管是利用電子在高頻結(jié)構(gòu)中的位置選擇機(jī)制實(shí)現(xiàn)注波凈能量交換的回旋器件, 具有高效率與低磁場(chǎng)的顯著特點(diǎn)。
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線性化AlGaN/GaN HEMT費(fèi)米能級(jí)與二維電子氣密度關(guān)系的解析模型
通過化簡(jiǎn)復(fù)雜非線性的費(fèi)米能級(jí)EF與二維電子氣密度ns關(guān)系,并利用化簡(jiǎn)后函數(shù)的一階泰勒多項(xiàng)式建立了線性化AlGaN/GaN HEMT中EF與ns關(guān)系的解析模型。
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