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CVD法制備單根磷摻雜P型ZnO納米線

通過CVD 方法制備得到了磷摻雜的 ZnO 納米線，用掃描電子顯微鏡（SEM）、X 射線衍射（XRD）、光致發(fā)光譜（PL）、拉曼（Raman）等多種表征手段對制備得到的樣品進行了表征。

用基于真空噴霧法制備的梯度結(jié)構(gòu)來提高聚合物發(fā)光器件的光強

制備的具有梯度結(jié)構(gòu)的聚合物發(fā)光器件發(fā)出光的強度，比用旋涂法和真空噴霧法所制備的單純高分子發(fā)光器件和混合結(jié)構(gòu)的高分子發(fā)光器件更高

應(yīng)用于CIGS太陽能電池窗口層的透明導(dǎo)電氧化物AZO薄膜的制備與研究

采用射頻磁控濺射技術(shù)，在常溫條件下，制備出了性能優(yōu)良的透明導(dǎo)電AZO薄膜薄膜。

單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備及其光學(xué)性能

用一種簡單的氣相合成方法成功地制備出了大量高純單晶氮化硅（α-Si3N4）納米線，氮化硅納米線的發(fā)光有一個寬的發(fā)光帶 （波長從500~700 nm），發(fā)光峰位于567 nm。

單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備

采用一種簡單的熱蒸法制備單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線。

卷繞式鍍膜機張力控制的改進及Matlab仿真

卷繞式鍍膜機張力控制的改進及Matlab仿真

導(dǎo)電薄膜電阻測量技術(shù)的可靠性研究

針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現(xiàn)的問題，進行分析研究，提出了解決方案，并在實驗中得到實現(xiàn)。

一種新型基于TiO2半導(dǎo)體薄膜的電致變色陣列器件

基于TiO2半導(dǎo)體薄膜的電致變色器件具有很高的穩(wěn)定性，在未來顯示領(lǐng)域“電子紙”的商業(yè)化進程中具有很大的競爭潛力

基于露點法判斷凍干過程的一次升華結(jié)束點

根據(jù)凍干過程干燥室內(nèi)的露點值和物料的水分含量有關(guān)提出一種新的方法———露點法來監(jiān)控凍干過程物料的水分遷移情況

DBD-PECVD法制備CN薄膜的結(jié)構(gòu)及性能研究

采用介質(zhì)阻擋放電等離子體增強化學(xué)氣相沉積(DBD-PECVD) 法,分別以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合氣體作為反應(yīng)氣體,在單晶硅片上成功制備了CN薄膜。

兩種硫酸根含量測定方法的比較

們對兩種硫酸根含量的測定方法--分光光度法和容量滴定法進行了比較

粗粒度鹽的生產(chǎn)小結(jié)

淺談我公司對洗浴鹽發(fā)展的探索

洗浴鹽作為一個綠色健康產(chǎn)業(yè)，發(fā)展前景不可限量。

磁控濺射制備(Ti,Al,Cr)N硬質(zhì)薄膜及其力學(xué)性能的研究

采用超高真空反應(yīng)磁控共濺射在不銹鋼基體上成功制備TiAlCrN薄膜。通過改變Cr靶濺射功率得到不同表面形貌、不同力學(xué)性能的TiAlCrN薄膜。

方塊電阻測試儀的智能化方案

對方塊電阻測試儀儀器功能進行智能化，有利于提高方塊電阻測試儀的可靠性，減少人為因素對測量結(jié)果的影響，增強儀器對測量數(shù)據(jù)的管理能力。

納米ZnO/CdSe@ZnS量子點自組裝熒光薄膜的制備

采用GDARE技術(shù)制備了ZnO納米顆粒膜，XRD分析表明晶粒生長主要沿著（002）晶面，薄膜呈現(xiàn)為有一定擇優(yōu)取向生長的多晶結(jié)構(gòu)，AFM圖像觀察到其平均粒徑為50–80nm。

磁控濺射帶電粒子的運動分布以及靶面刻蝕形貌的研究

利用有限元軟件ANSYS和數(shù)值分析軟件MATLAB仿真了磁控濺射中電磁場的分布，結(jié)合受力分析和運動理論得到了粒子在空間區(qū)域內(nèi)的運動以及它們在靶面附近的位置分布特點。

Cr/CrN多層膜的結(jié)構(gòu)及腐蝕性能研究

利用電弧離子鍍設(shè)備，在45#鋼基體上制備了兩種調(diào)制比的Cr/CrN多層膜。采用X 射線衍射技術(shù)(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電子探針(EPMA)、M273A電化學(xué)系統(tǒng)等技術(shù)分析了薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面形貌、橫截面元素分布、模擬海

真空鍍鋁膜耐曲揉性(揉搓性)檢測

被視為鋁箔代替品的真空鍍鋁材料，在耐折性、韌性上已有很大的改進，但要想確保其在經(jīng)過曲揉后的綜合性能進而確保產(chǎn)品的包裝安全，對其進行耐曲揉性檢測是不可或缺的重要手段。

Cu/In原子比及硫化溫度對于CuInS2薄膜性能影響

采用中頻交流磁控濺射方法，在玻璃基底上沉積Cu-In預(yù)制膜，采用固態(tài)硫化法制備獲得了CuInS2(CIS)吸收層薄膜�？疾炝祟A(yù)制膜Cu/In原子比及硫化溫度對于CIS薄膜結(jié)構(gòu)及禁帶寬度影響。