真空應(yīng)用
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摻磷納米硅薄膜的制備及介觀力學(xué)性質(zhì)與介觀接觸電阻的研究
通過嚴(yán)格控制薄膜生長的工藝參數(shù),得到了摻磷納米硅薄膜,并通過原位納米力學(xué)電學(xué)測試系統(tǒng)對其力學(xué)和電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行測試
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遠(yuǎn)洋蔬果復(fù)合氣調(diào)包裝系統(tǒng)(MAP)數(shù)學(xué)模型研究
根據(jù)Fick定律和Henry定律以及蔬果復(fù)合氣調(diào)包裝后氣體質(zhì)量平衡原理建立數(shù)學(xué)模型,從而確保遠(yuǎn)洋蔬果復(fù)合氣調(diào)保鮮包裝的科學(xué)性,達(dá)到延長遠(yuǎn)洋蔬果保鮮期的目的。
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襯底H等離子體預(yù)處理時(shí)間對微晶硅薄膜生長的影響
采用VHF-PECVD技術(shù)制備了系列硅薄膜,通過橢圓偏振技術(shù)及拉曼測試手段研究了襯底表面預(yù)處理時(shí)間對微晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)及其生長的影響。
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真空管道運(yùn)輸:處在科技前沿的下一代運(yùn)輸方式
回顧了真空管道運(yùn)輸從概念設(shè)想到專利技術(shù)形成的發(fā)展過程,對當(dāng)前世界范圍內(nèi)真空管道運(yùn)輸?shù)难芯块_發(fā)現(xiàn)狀進(jìn)行了考察。
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真空管道運(yùn)輸——真空產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新機(jī)遇
真空管道運(yùn)輸系統(tǒng)的建設(shè)與應(yīng)用, 將給真空產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造巨大的市場空間, 是真空產(chǎn)業(yè)、真空科學(xué)與技術(shù)發(fā)展的新機(jī)遇。
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LCD中幾種運(yùn)動估計(jì)塊匹配算法比較
從運(yùn)動估計(jì)的基本原理出發(fā),介紹了七種廣泛應(yīng)用的塊匹配算法,并將它們在計(jì)算量和產(chǎn)生補(bǔ)償圖像的效果方面進(jìn)行了全面的比較和分析。
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氫化微晶硅薄膜的兩因素優(yōu)化及高速沉積
采用甚高頻等離子體輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)(VHF-PECVD) 分別對薄膜沉積參數(shù)進(jìn)行了功率密度—沉積氣壓和硅烷濃度—?dú)怏w總流量兩因素優(yōu)化
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非平衡磁控濺射制備氮化硅薄膜及其性能研究
采用非平衡磁控濺射技術(shù),通過改變氮?dú)夂蜌鍤夥謮罕萈(N2)/P(Ar),在鈦合金(Ti6Al4V)表面制備出不同結(jié)構(gòu)及性能的氮化硅薄膜。
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沉積在液體基底上銀薄膜的表面形貌及內(nèi)應(yīng)力釋放機(jī)制
利用直流磁控濺射方法在液體(硅油) 基底表面成功制備出具有自由支撐邊界條件的金屬銀薄膜系統(tǒng),研究了該薄膜的形成機(jī)理、表面形貌演化規(guī)律及內(nèi)應(yīng)力釋放機(jī)制。
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P型透明導(dǎo)電SnO2薄膜的研究進(jìn)展
制備高質(zhì)量的n型和p型SnO2是實(shí)現(xiàn)SnO2薄膜光電器件應(yīng)用的關(guān)鍵。n型SnO2薄膜的制備已經(jīng)很成熟。
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真空機(jī)械手
沖壓生產(chǎn)線不但有很高的運(yùn)動速度,還要求有很高的板材運(yùn)送定位精度。用于沖壓生產(chǎn)線上自動化上下料真空吸盤式機(jī)械手按照板材的規(guī)格,準(zhǔn)確地將板材輸送到位。
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FXC大面積真空吸盤在煙草行業(yè)的成功運(yùn)用
針對煙草企業(yè)自動化搬運(yùn)系統(tǒng)特征,研發(fā)出FXC大面積真空吸盤,提高了煙草自動化搬運(yùn)系統(tǒng)的工作效率。
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真空爐生產(chǎn)超低碳鋼的實(shí)踐操作
通過分析真空爐生產(chǎn)超低碳鋼的工藝過程,結(jié)合生產(chǎn)實(shí)踐,優(yōu)化脫碳工藝,總結(jié)出快速計(jì)算鋁加入量的經(jīng)驗(yàn)公式,大大縮短了真空處理時(shí)間,確保了鋼水的純凈度。
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