真空技術(shù)應(yīng)用
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石墨輔助NbSe2納米棒的制備及其摩擦學(xué)性能
將石墨、鈮粉、硒粉按配比稱取,置于密閉體系中,于750℃下,固相反應(yīng)制備出二硒化鈮納米棒,并使用X射線衍射、能量散射譜、掃描電鏡和透射電鏡對(duì)其進(jìn)行結(jié)構(gòu)形貌進(jìn)行表征。
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Ta和Ag離子雙注入Ti6Al4V合金抗Hank’s溶液腐蝕性能研究
采用Ta和Ag離子雙注入對(duì)醫(yī)用Ti6Al4V合金進(jìn)行表面改性,以Ta離子1.5×1017ions/cm2先注入,Ag離子1×1017ions/cm2后注入合金樣品表面。
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IVA元素?fù)诫s的ZnO的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)
基于密度泛函理論的總體能量平面波模守恒贗勢(shì)方法,對(duì)摻雜Si、Ge、Sn的ZnO的電導(dǎo)率和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了理論研究。
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CdSe量子點(diǎn)/PVK復(fù)合電雙穩(wěn)器件的制備及載流子輸運(yùn)性能研究
對(duì)電流-電壓曲線和電容-電壓曲線展開討論,驗(yàn)證器件的載流子捕獲與釋放機(jī)制,闡述載流子在該器件的輸運(yùn)機(jī)制。
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CASTOR托卡馬克邊緣溫度漲落與密度漲落的特殊關(guān)系
在CASTOR托卡馬克邊緣,通過(guò)對(duì)能量分布函數(shù)b-i Maxwell分布電子的溫度漲落和密度漲落的研究。
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應(yīng)用差分液相色譜/原子熒光法提高砷形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)曲線的相關(guān)系數(shù)
當(dāng)用液相色譜-原子熒光(HPLC-AFS)分析砷形態(tài)時(shí),如果樣品中包含保留時(shí)間接近的形態(tài),將導(dǎo)致色譜峰部分重疊。
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壓縮超級(jí)像素遺傳算法重現(xiàn)離軸電子全息圖
對(duì)重現(xiàn)離軸電子全息圖的遺傳算法進(jìn)行了研究,討論了參考波波矢和超級(jí)像素尺寸對(duì)重現(xiàn)結(jié)果的影響規(guī)律,并在此基礎(chǔ)上對(duì)遺傳算法進(jìn)行了改進(jìn)。
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特高壓直流換流閥水冷系統(tǒng)真空脫氣研究
針對(duì)特高壓直流換流閥水冷系統(tǒng)由于溶解性氣體析出, 產(chǎn)生大量氣泡導(dǎo)致的系統(tǒng)水壓失穩(wěn)以及氧腐蝕問(wèn)題, 配備溶解氣分離旁路系統(tǒng), 采用水泵抽水產(chǎn)生真空的方式進(jìn)行脫氣來(lái)解決。
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換流閥水冷系統(tǒng)的溶解氣分離旁路系統(tǒng)的工作流程
換流閥水冷系統(tǒng)配備的溶解氣分離系統(tǒng)如圖1 所示, 系統(tǒng)主要由電磁閥、脫氣罐、自動(dòng)排氣系統(tǒng)、壓力傳感器、單向閥及立式多級(jí)泵等組成。
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真空用射頻電源功率放大器的探討
本文介紹了射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和功能特性,并通過(guò)Multisim仿真設(shè)計(jì),達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo),實(shí)驗(yàn)結(jié)果得到了驗(yàn)證。
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Si(100)表面二聚體翻轉(zhuǎn)觸發(fā)的自發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng)
Si(100)表面的二聚體翻轉(zhuǎn)在小分子解離吸附反應(yīng)中起到了重要作用,可以觸發(fā)其自發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng),對(duì)理解類似反應(yīng)機(jī)理提供了參考,解決了之前理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在偏差的問(wèn)題。
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