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真空技術(shù)應(yīng)用

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推薦真空熱水鍋爐的構(gòu)造特點(diǎn)

真空熱水鍋爐的結(jié)構(gòu)是由燃燒室(火爐)、水管、負(fù)壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。本文以雙回路真空熱水鍋爐為例講述真空熱水鍋爐的構(gòu)造特點(diǎn)。

陽(yáng)極層霍爾等離子體加速器內(nèi)的二維磁流體模擬

利用二維磁流體動(dòng)力學(xué)模型，對(duì)我們自行設(shè)計(jì)的圓柱形霍爾等離子體加速器通道內(nèi)的放電等離子體進(jìn)行數(shù)值模擬計(jì)算，得到了通道內(nèi)的電子密度、離子密度等分布。
真空技術(shù)在食用油精煉過(guò)程中的應(yīng)用與節(jié)能

本文主要介紹真空技術(shù)在食用油精煉過(guò)程中的合理應(yīng)用方法、使用要求、實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的措施。
真空技術(shù)在食用油精煉過(guò)程中節(jié)能環(huán)保的措施

本文主要介紹真空技術(shù)在食用油精煉過(guò)程中實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的措施。
食用油精煉過(guò)程常用的真空泵和真空系統(tǒng)

本文介紹了目前常用于食用油精煉蒸餾脫臭的三種真空系統(tǒng)。
食用油精煉對(duì)真空技術(shù)的要求

本文以脫臭工序?yàn)槔芯空婵占夹g(shù)在食品油精煉過(guò)程中的應(yīng)用與節(jié)能。
行波管用陰極鉬支撐筒開裂和變形原因分析

針對(duì)陰極組件在組裝過(guò)程中出現(xiàn)脫落現(xiàn)象，利用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)呈現(xiàn)出不同程度開裂和變形的鉬支撐筒進(jìn)行了微觀對(duì)比分析，找出了鉬支撐筒開裂和變形問(wèn)題的原因。
真空法檢驗(yàn)土工膜整體質(zhì)量的試驗(yàn)研究

提出土工膜整體質(zhì)量完整性檢測(cè)的概念，以及利用真空原理進(jìn)行土工膜整體質(zhì)量完整性現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)的方法。
新型大直徑碳管的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展

本文綜述了新型大直徑碳管的制備以及應(yīng)用的研究進(jìn)展，探討了該研究領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題以及今后可能的發(fā)展前景。
高量子效率和波長(zhǎng)熱穩(wěn)定性308nm GaN/AlN量子點(diǎn)紫外LED的制備

本文通過(guò)金屬有機(jī)物氣相外延方法，在(0001)面藍(lán)寶石襯底上成功地生長(zhǎng)了以GaN/AlN 量子點(diǎn)代替AlGaN量子阱作為有源區(qū)的紫外LED 外延片，并首次制備了電致發(fā)光波長(zhǎng)為308 nm 的GaN/AlN 量子點(diǎn)紫外LED 器件。
超長(zhǎng)氧化釩納米線的制備與表征

五氧化二釩是一種被廣泛研究的高比容量鋰離子電池陰極材料。
Ni，Cu納米線陣列以及Ni/Cu超晶格納米線陣列的光學(xué)

在本文中，對(duì)這種納米線陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行了光學(xué)實(shí)驗(yàn)測(cè)量研究。
中空金屬納米球等離激元以及表面等離激元模式研究

在本文中，理論研究了中空金納米小球的電子子能帶結(jié)構(gòu)以及等離激元和表面等離激元模式。
金屬-半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能量轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)研究
金納米顆粒熒光光譜特性研究

在本文中，研究了兩種不同大小的金納米顆粒的熒光激發(fā)光譜和熒光發(fā)射光譜特性。
石墨表面卟啉分子的電致發(fā)光特性研究

在本文中，利用石墨(HOPG)作為襯底，對(duì)HOPG 表面多層TPP 卟啉分子膜的STM 誘導(dǎo)發(fā)光特性進(jìn)行了深入的研究。
真空電子束表面造型技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法及試驗(yàn)研究

本文提出了一種基于圖像掃描的真空電子束表面加工方法。
基于α-Si TFT 的AM-FED 器件的研究與仿真分析

研發(fā)人員設(shè)計(jì)了三極結(jié)構(gòu)的FED 顯示器件，在陰陽(yáng)極板之間加入了柵極來(lái)收集電子。但是三極結(jié)構(gòu)并不能徹底解決驅(qū)動(dòng)電壓高,以及顯示均勻性差的問(wèn)題。
場(chǎng)致發(fā)射顯示器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研究

本文主要介紹場(chǎng)致發(fā)射顯示器的結(jié)構(gòu)原理發(fā)展及應(yīng)用和FED 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)的研究。
陽(yáng)極氧化電壓對(duì)TiO2納米管陣列生長(zhǎng)及場(chǎng)發(fā)射性能的影響

利用陽(yáng)極氧化法在純鈦表面制備了規(guī)則有序的TiO2 納米管陣列, 應(yīng)用場(chǎng)致發(fā)射掃描電子顯微鏡、X 射線光電子能譜對(duì)納米管陣列表面形貌、斷面結(jié)構(gòu)及元素組成進(jìn)行表征, 并對(duì)所得樣片的場(chǎng)發(fā)射性能進(jìn)行測(cè)試.
利用頻域求解器模擬計(jì)算諧振腔的諧振特性

以“通過(guò)法測(cè)品質(zhì)因數(shù)”的冷測(cè)實(shí)驗(yàn)為理論基礎(chǔ), 通過(guò)理論分析、數(shù)值模擬和冷測(cè)實(shí)驗(yàn)證明了利用三維電磁仿真軟件的頻域求解器也能模擬獲得涂覆衰減材料的諧振腔本征模的諧振特性。