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兩種正離子對(duì)磁化等離子體鞘層中塵埃顆粒的影響

建立了包含兩種不同種類正離子的磁化等離子體鞘層的流體模型, 通過(guò)四階龍格庫(kù)塔法數(shù)值模擬了含有兩種不同種類正離子對(duì)等離子體鞘層中塵埃粒子的影響。

某行波管輸能窗結(jié)構(gòu)動(dòng)力學(xué)特性與隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)

本文探討了國(guó)內(nèi)外學(xué)者及科研機(jī)構(gòu)對(duì)行波管結(jié)構(gòu)動(dòng)力學(xué)特性分析的研究方法和研究情況, 利用有限元模仿真分析和隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)相結(jié)合的方法,。

分子動(dòng)力學(xué)模擬C+離子與聚變材料鎢的相互作用

采用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬不同能量的C+離子與聚變材料鎢的相互作用。

阻抗匹配對(duì)大氣壓氮?dú)饨橘|(zhì)阻擋放電的影響

Spindt陰極制作中剝離層的研究

在Spindt場(chǎng)發(fā)射陰極制作工藝流程中, 剝離層對(duì)于形成良好的發(fā)射尖錐形狀至關(guān)重要, 同時(shí)它也是實(shí)現(xiàn)陰極陣列中尖錐均勻性的關(guān)鍵因素。

一種端口匹配的行波管預(yù)失真線性化器

本文介紹一種工作在L波段的基于二極管的預(yù)失真線性化器。這種預(yù)失真線性化器利用3dB分支線耦合器的特性, 實(shí)現(xiàn)輸入輸出端的良好匹配。

工業(yè)微波磁控管開關(guān)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

研究了磁控管驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)方法。主電路采用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，易于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，利用升壓高頻變壓器的漏感作為諧振電路的一部分，簡(jiǎn)化了主電路設(shè)計(jì)。

休斯型耦合腔慢波結(jié)構(gòu)正向設(shè)計(jì)初步研究

本文提出了一種耦合腔行波管慢波結(jié)構(gòu)的快速設(shè)計(jì)方法, 可以初步確定滿足要求的耦合腔慢波結(jié)構(gòu)尺寸。

不同間隙條件下同軸型介質(zhì)阻擋放電的模擬與實(shí)驗(yàn)研究

不同間隙條件下同軸型介質(zhì)阻擋放電的模擬與實(shí)驗(yàn)研究主要目的是為了研究氣體間隙大小對(duì)介質(zhì)阻擋放電脫除NO 的影響。

Ka波段濾波器加載三間隙耦合腔輸出回路的仿真和測(cè)試

本文采用基于微波網(wǎng)絡(luò)理論的多間隙耦合腔輸出回路間隙阻抗冷測(cè)方法, 對(duì)Ka 波段濾波器加載三間隙耦合腔輸出回路進(jìn)行冷參數(shù)測(cè)試, 得到該回路的間隙阻抗頻率特性曲線與群時(shí)延曲線。

不同本底壓力下離子推力器電子反流失效的數(shù)值模擬

針對(duì)20cm氙離子推力器具體設(shè)計(jì)和工作參數(shù), 采用二維軸對(duì)稱模型的網(wǎng)格質(zhì)點(diǎn)和蒙特卡羅碰撞方法模擬計(jì)算了氙離子和氙原子在離子推力器柵極系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)。

多層等離子體蝕刻技術(shù)的研究

提出了一種新的干法刻蝕技術(shù)-多層等離子體蝕刻, 充分利用腔體的空間布局, 布置多層電極, 并采用分層送氣裝置輸送放電氣體, 實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)進(jìn)行刻蝕, 可成倍提高產(chǎn)能。

真空蒸餾工藝問(wèn)題探討

探討了真空蒸餾工藝問(wèn)題

氣體電子倍增器(GEM) 結(jié)構(gòu)及模擬原理

介紹了氣體電子倍增器(GEM) 的結(jié)構(gòu)和模擬的原理,

氣體電子倍增器透過(guò)率和增益特性的研究

本文首先介紹了GEM 的結(jié)構(gòu)和模擬的原理,然后基于有限元的方法建立GEM 三維模型, 并計(jì)算電場(chǎng)分布, 將所得的GEM 結(jié)構(gòu)模型導(dǎo)入GARFIELD 軟件, 實(shí)現(xiàn)GEM 透過(guò)率和增益的計(jì)算。

氣體電子倍增器透過(guò)率和增益特性的研究

本文首先介紹了GEM 的結(jié)構(gòu)和模擬的原理,然后基于有限元的方法建立GEM 三維模型, 并計(jì)算電場(chǎng)分布, 將所得的GEM 結(jié)構(gòu)模型導(dǎo)入GARFIELD 軟件, 實(shí)現(xiàn)GEM 透過(guò)率和增益的計(jì)算。

II-VI族材料在疊層太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

本文介紹了上述幾種思路的理論及實(shí)驗(yàn)研究現(xiàn)狀, 以及II-VI 族材料頂電池的研究進(jìn)展; 同時(shí)分析了阻礙II-VI 族半導(dǎo)體材料應(yīng)用的單極性摻雜問(wèn)題, 介紹了提高摻雜水平可能的途徑。

南寧鐵路局集中改造火車廁所，污穢物改由真空集便器采集

真空集便器利用強(qiáng)大的真空吸力，將污穢物吸收進(jìn)特制的處理箱，火車運(yùn)行途中可做到“零排放”。

基于PLC控制的真空壓力浸漆控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文主要討論三菱公司的FX2N—80系列PLC在真空壓力浸漆設(shè)備控制中的應(yīng)用，以PLC為主控制器實(shí)現(xiàn)真空壓力浸漆全過(guò)程的自動(dòng)控制，操作簡(jiǎn)單，易于維護(hù)。

壓強(qiáng)對(duì)等離子體交叉場(chǎng)調(diào)制開關(guān)預(yù)電離工作過(guò)程的影響

依據(jù)直流輝光放電理論，利用數(shù)值模擬方法研究了壓強(qiáng)對(duì)等離子體交叉場(chǎng)調(diào)制開關(guān)中電子溫度、擊穿電壓、著火時(shí)間以及電子密度分布的影響。