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推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點是靶材表面的磁場達不到正常磁控濺射時要求的磁場強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。

  • PET纖維基AZO透明導電薄膜濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化

    室溫下,結(jié)合正交實驗表,用射頻磁控濺射在滌綸(PET)非織造布基材上生長AZO(Al2O3:ZnO)納米結(jié)構(gòu)薄膜。采用四探針測量儀測試AZO薄膜的方塊電阻,用原子力顯微鏡(AFM)分析薄膜微結(jié)構(gòu);通過正交分析法對實驗L9(33)AZO薄膜的

  • 負偏壓對磁控濺射氧化鋁薄膜的影響

    適當?shù)呢撈珘河绊懘趴貫R射Al2O3薄膜的性能，有利于獲得高阻隔性的包裝材料。

  • ITO薄膜的磁控濺射關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

    通過磁控濺射陶瓷靶制備ITO 薄膜的工藝實驗,研究了基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)對該薄膜光電性能的影響。實驗結(jié)果表明:當基底加熱溫度為295 ℃、濺射電壓為250V、氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %即主要工藝

  • JB/T 8945-1999 真空濺射鍍膜設(shè)備

    JB/T8945—1999真空濺射鍍膜設(shè)備標準適用于壓力在1×10-4~5×10-3Pa范圍的真空賤射鍍膜設(shè)備，規(guī)定了真空濺射鍍膜設(shè)備的型號和基本參數(shù)，技術(shù)要求，試驗方法，檢驗規(guī)則，標志、包裝、運輸和貯存等。

  • 脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

    脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖。

  • 反應磁控濺射的工作原理和遲滯現(xiàn)象的解決方法

    反應磁控濺射技術(shù)是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分的化合物薄膜，可以在濺射純金屬或合金靶材時，通入一定的反應氣體，如氧氣、氮氣，反應沉積化合物薄膜，這就稱這反應磁控濺射。

  • 非平衡磁控濺射的結(jié)構(gòu)和運用

    非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場強度比外環(huán)高，磁力線沒有閉合。另一種是外環(huán)磁場強度高于芯部磁場強度，磁力線沒有完全形成閉合回路。

  • 平衡磁控濺射的概念和優(yōu)缺點

    平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。

  • 反應濺射技術(shù)制備碳化釩薄膜的實驗

    采用在Ar2C2H2混合氣體中的射頻反應磁控濺射技術(shù)可以方便地合成碳化釩薄膜。但是,碳化釩薄膜的化學成分、相組成、微結(jié)構(gòu)以及相應的力學性能對C2H2 分壓非常敏感。

  • 濺射功率對ZAO薄膜沉積速率的影響

    ZAO薄膜的沉積速率隨濺射功率的增大幾乎成線性增長。

  • 直流反應磁控濺射ZnO:Al薄膜的制備與膜厚的測量

    直流反應磁控濺射法制備ZAO薄膜具有低的沉積溫度,高的沉積速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等優(yōu)點。但是這種工藝的穩(wěn)定性不易控制。

  • 直流濺射并結(jié)合熱處理工藝制備氧化鎳薄膜

    采用直流濺射并結(jié)合熱處理工藝在400～500℃退火溫度下制備了表面光滑、結(jié)構(gòu)致密、無微孔和裂縫的納米晶NiO 薄膜.

  • 反應濺射AlN 薄膜的動態(tài)特性

    反應磁控濺射方法制備AlN薄膜是一種很普遍的方法,為了增強對該過程的理解,建立了反應濺射過程的動態(tài)模型.應用該模型分析了當?shù)髁吭黾踊驕p少時,過程中的各個參數(shù)隨時間變化的瞬態(tài)行為.

  • 磁控濺射靶磁場結(jié)構(gòu)優(yōu)化后實際刻蝕效果與實驗

    磁控濺射是現(xiàn)代最重要的鍍膜方法之一, 具有簡單, 控制工藝參數(shù)精確和成膜質(zhì)量好等特點。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和離化率低等缺點。研究表明磁場結(jié)構(gòu)對上述問題有重要影響, 本文介紹了一種磁控濺射靶磁路優(yōu)

  • 磁控濺射靶的磁場的優(yōu)化設(shè)計

    采用的是磁路疊加原理來改進磁控濺射靶的磁場，最后形成的水平磁場是接近于矩形波的雙峰形式。這樣靶面的磁力線和磁場強度的水平分量更加平滑, 能夠有效地增加靶面跑道的寬度, 實現(xiàn)靶面均勻刻蝕。

  • 磁控濺射靶的磁場排布分析

    在平面磁控濺射靶中, 磁鋼放置于靶材的后面, 穿過靶材表面的磁力線在靶材表面形成磁場。其中平行于靶面的磁場B 和垂直靶表面的電場E,形成平行于靶面的漂移場E×B。

  • 濺射鋁膜的結(jié)構(gòu)與表面形態(tài)分析

    X射線衍射圖譜表明, 磁控濺射沉積的Al膜為多晶狀態(tài)。用掃描電子顯微鏡對薄膜進行表面形貌的觀察, 濺射氣壓為0.4Pa, 濺射功率為2600W時制備的Al膜較均勻致密。

  • 直流磁控濺射的工藝參數(shù)對鋁膜沉積速率的影響

    Al膜的沉積速率隨著濺射功率的增大先幾乎呈線性增大而后緩慢增大; 隨著濺射氣壓的增大, 沉積速率不斷增大, 在0.4 Pa 時達到最大值后, 沉積速率隨濺射氣壓的繼續(xù)增大而減小。

  • 直流磁控濺射法在玻璃基片上制備鋁薄膜的工藝研究

    采用直流磁控濺射方法, 以高純Al為靶材, 高純Ar為濺射氣體, 在玻璃襯底上成功地制備了鋁薄膜。

  • 磁控濺射法鍍制紅外低輻射膜的光熱性能

    本文對薄膜的節(jié)能原理、制備方法、膜層結(jié)構(gòu)及其光學、熱學性能進行了綜述, 較詳細地論述了目前低輻射薄膜研究中較為突出的金屬銀氧化和介質(zhì)層增透的問題。