濺射鍍膜
推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達(dá)不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強(qiáng)度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強(qiáng)度。
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共濺射法制備的Pt-C薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的研究
用共濺射的方法制備了Pt-C薄膜,薄膜由Pt納米粒子和非晶C組成。電子顯微鏡和X射線衍射的測(cè)試結(jié)果顯示Pt納米粒子鑲嵌在非晶C之中。
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脈沖激光沉積濺射工藝對(duì)CIGS薄膜成分和結(jié)構(gòu)的影響
采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預(yù)制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線衍射儀表征了薄膜的晶體結(jié)構(gòu),采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子
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直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究
用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導(dǎo)電薄膜,研究了濺射壓強(qiáng)和功率對(duì)GZO:Ti薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。
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基片溫度對(duì)磁控濺射沉積二氧化硅的影響
本文詳細(xì)地研究了基片溫度對(duì)磁控濺射沉積二氧化硅的影響,隨著基片溫度的增加,濺射沉積速率下降明顯,薄膜的折射率也出現(xiàn)上升趨勢(shì),薄膜也由低溫時(shí)的疏松粗糙發(fā)展為致密光滑。
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鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結(jié)構(gòu)與腐蝕性能
金屬鈾的化學(xué)性質(zhì)十分活潑,極易發(fā)生氧化腐蝕。本文采用磁過(guò)濾多弧離子鍍?cè)诮饘兮櫛砻嬷苽銽i過(guò)渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
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濺射氣壓對(duì)碳化釩薄膜微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的影響
采用碳化釩靶的磁控濺射方法在不同的Ar氣壓下制備了一系列碳化釩薄膜, 利用能量分析光譜儀, X射線衍射,掃描電子顯微鏡, 原子力顯微鏡和微力學(xué)探針研究了氣壓對(duì)薄膜成分、相組成、微結(jié)構(gòu)以及力學(xué)性能的影響。
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高功率脈沖磁控濺射氬氮比對(duì)ZrN薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
采用高功率復(fù)合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對(duì)比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無(wú)空洞、又無(wú)大顆粒等缺陷。
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磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設(shè)計(jì)方法
在現(xiàn)有的理論基礎(chǔ)之上，對(duì)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了初步的建立和研究，系統(tǒng)的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)理念，不斷完善設(shè)計(jì)方法，并將設(shè)計(jì)方法分為鍍膜設(shè)備工程設(shè)計(jì)、鍍膜工藝設(shè)計(jì)和計(jì)算
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平面磁控濺射薄膜厚度均勻性的研究概述
在平面磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，薄膜厚度均勻性作為衡量薄膜質(zhì)量和成膜系統(tǒng)性能的一項(xiàng)重要指標(biāo)，得到了國(guó)內(nèi)外學(xué)者們的廣泛研究。
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小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究
從圓平面靶磁控濺射的原理出發(fā)，針對(duì)圓形平面靶面積小于基片面積的特點(diǎn)進(jìn)行分析，建立膜厚分布的數(shù)學(xué)模型，并利用計(jì)算機(jī)進(jìn)行模擬計(jì)算，目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時(shí)影響膜厚均勻性的因素
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磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復(fù)合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4（CFO）層狀結(jié)構(gòu)磁電復(fù)合薄膜，測(cè)試結(jié)果顯示此磁電復(fù)合薄膜在室溫下同時(shí)存在鐵電性和鐵磁性
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