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真空校準室內(nèi)分子流場分布的理論分析與計算

介紹校準室內(nèi)分子流場分布的理論計算方法

不同真空處理時間對辣根過氧化物酶二級結構的影響

辣根過氧化物酶經(jīng)真空處理不同時間，利用圓二色光譜研究不同真空處理時間對辣根過氧化物酶二級結構的影響。

新型真空滅弧室1/2線圈縱磁結構設計與仿真

設計一種新型1/2匝真空滅弧室線圈式縱向磁場觸頭結構，并對其縱向磁場分布特性進行分析

ANSYS軟件在高頻電磁場上的應用

介紹了ANSYS軟件在高頻電磁場仿真方面上的應用，分析了ANSYS軟件在進行三維高頻電磁場仿真所涉及的有限元分析和電磁場方面的基礎理論。

感應加熱中頻電源原理及檢修

該文章闡述了感應加熱中頻電源主要組成部分及電路工作原理，詳細介紹了在感應加熱中頻電源應用中常見的故障分析和處理方法。

室外真空排水系統(tǒng)建模的研究

將室外真空排水系統(tǒng)分為三個子系統(tǒng)，確定了子系統(tǒng)間的接口，建立了系統(tǒng)的數(shù)學模型

真空絕熱板中的熱橋效應及其優(yōu)化措施

真空絕熱板的芯材具有很低的熱導率, 但是用于維持真空度的高阻隔表面隔膜造成的熱橋會使真空絕熱板整體熱導率明顯提高。

真空科學與技術的一些前沿課題

試論述真空科學與技術領域的最近、最新的學術動態(tài)，分析研究內(nèi)容、研究方向和前沿課題，希望能達到為生產(chǎn)、教學和科研導向起到參考作用。

陰極弧離子源磁過濾器的磁場設計與數(shù)值模擬

利用永磁體優(yōu)化磁過濾器的磁場位形,并且增大磁過濾器出口面積等方法，對彎管磁過濾器進行結構和磁場優(yōu)化設計

5 kW 弧電源的設計與仿真

介紹了開關電源的優(yōu)點和大功率弧電源的結構,給出了 以SG3525 為控制核心的弧電源的設計方法。

真空內(nèi)扭擺磁鐵的內(nèi)真空盒對高次模發(fā)熱的抑制作用

介紹了BEPCⅡ真空內(nèi)扭擺磁鐵的內(nèi)真空盒系統(tǒng)。

石英晶振激光減薄調(diào)頻技術的研究

重點研究了激光器的工作電流和 Q脈沖寬度對晶振頻率微調(diào)的影響。

磁控直流輝光等離子體放電特性

從幾十篇實驗報告中將有關磁控直流輝光等離子體放電特性的實驗結果加以歸納總結形成本文。

準中性等離子體模擬中的兩種漸近保持PIC算法研究

　針對準中性無碰撞等離子體的Vlasov 方程及與其相耦合的求解電勢的Poisson 方程所組成的Vlasov2Poisson 系統(tǒng),提出了兩種漸近保持PIC 算法,并將其運用到一維周期性波動等離子體模型上。

新型SMPDP菱形單元結構的研究

研究了新型SMPDP菱形單元放電單元中的蔭罩小孔結構改變對尋址期和維持期放電的影響

前柵極碳納米管場發(fā)射顯示板關鍵結構參數(shù)的研究

采用模擬計算的方法研究了前柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的標準結構場發(fā)射區(qū)域內(nèi)的電場分布、陰極表面的發(fā)射情況、電子軌跡和著屏束斑。

利用UV曝光技術研制單根定向碳納米管陣列冷陰極

通過普通的紫外(UV) 光刻工藝,結合“變傾角縮口”新技術,研制了不同發(fā)射單元尺寸的碳納米管(CNTs) 陣列陰極。

國際熱核聚變反應堆饋線系統(tǒng)線圈終端盒冷屏熱性能分析及實驗研究

本文首先根據(jù)傳熱學原理對線圈終端盒冷屏熱性能進行理論分析,確定了冷屏的結構型式,然后再對線圈終端盒冷屏結構建模

數(shù)字式壓力校驗儀及其應用

介紹了數(shù)字式壓力校驗儀的應用，包括壓力校驗儀的各項技術指標情況、 在現(xiàn)場儀表調(diào)校過程中的具體使用方法以及使用過程中的注憊事項。

等離子體顯示器自適應低功耗尋址方法