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真空基礎(chǔ)

推薦電容器組合介質(zhì)介電常數(shù)與壓緊系數(shù)關(guān)系分析

本文通過對組合介質(zhì)介電常數(shù)和元件電容量計算公式的分析，得出了不同介質(zhì)結(jié)構(gòu)情況下壓緊系數(shù)變化與組合介電常數(shù)之間，以及元件電容與壓緊系數(shù)之間的關(guān)系，對電容器的設(shè)計起到一定的指導(dǎo)作用。

極限真空和理論真空的概念區(qū)分

“極限真空”和“理論真空”這兩個概念相差很遠(yuǎn)
一種應(yīng)用于AC PDP的反gamma校正與動態(tài)對比度增強相結(jié)合的新方法

提出了一種應(yīng)用于AC PDP 上的反gamma校正與可控動態(tài)對比度增強相結(jié)合算法。
大平均功率螺旋線行波管的研制

大平均功率螺旋線行波管采用無截獲柵控電子槍、帶相速跳變的慢波系統(tǒng)、PPM 聚焦系統(tǒng)、兩級降壓收集極和強迫風(fēng)冷。
耦合腔行波管多級降壓收集極的模擬設(shè)計

較全面地討論了多級降壓收集極的物理模型。
動態(tài)漸變技術(shù)螺旋線行波管三維非線性互作用的計算

基于場論模型建立螺旋線行波管多頻三維非線性自洽方程,采用等離子體粒子模擬的方法研究行波管中的空間電荷場,開發(fā)出半解析半粒子模擬的互作用程序。
ZnO一維納米材料在Cu-Zn合金基片上的大面積直接生長及場發(fā)射性能研究

以Cu-Zn合金片為基底并提供Zn源，在較低的溫度下進(jìn)行氧化處理，直接在Cu-Zn合金片上大面積地生長出不同形貌的ZnO 一維納米材料，包括納米線、納米帶、納米棒及納米帶準(zhǔn)定向陣列等。
金屬Ni基片上碳納米管的合成及場發(fā)射性能研究

碳納米管(CNTs)有高的機械強度、奇特的電學(xué)性能、優(yōu)良的儲氫能力等一系列的物理化學(xué)性質(zhì)，在復(fù)合材料、納米電子學(xué)器件、微型傳感器、電動機械裝置等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。
第一性原理研究PDP放電單元MgO保護(hù)層各種空缺對二次電子發(fā)射系數(shù)的影響

利用第一原理的方法來計算了完整MgO以及含F(xiàn)、F+ 、F 2+ 空缺的MgO 晶體的電子結(jié)構(gòu)的變化情況,通過對能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度分布的計算,可以看到MgO 形成氧空缺后在禁帶中引入了能級。
介質(zhì)阻擋穩(wěn)態(tài)絲狀放電數(shù)值模擬

主要通過流體模型對介質(zhì)阻擋放電過程進(jìn)行數(shù)值模擬,分析了pd 值較小條件下DBD 的穩(wěn)態(tài)絲狀放電過程。
常壓介質(zhì)阻擋放電對聚苯乙烯表面改性研究

通過接觸角測量、原子力顯微鏡(AFM)觀察和X射線光電子能譜(XPS)分析,研究了空氣等離子體處理前后聚苯乙烯PS薄膜的表面性能的變化。
X波段三間隙耦合腔型輸出回路間隙阻抗的模擬計算

通過Ansoft HFSS軟件模擬的手段,在X 波段設(shè)計了一個三模重疊的三間隙耦合輸出腔,討論了群時延和間隙阻抗之間的相互關(guān)系,分析了群時延對間隙阻抗頻率特性的影響
對地球大氣密度隨高度分布規(guī)律的討論

對地球大氣密度隨高度分布規(guī)律的討論
等離子冷床爐熔煉高密度夾雜物去除研究

冷床爐是一個開放的系統(tǒng)，由于將熔化、精煉、凝固過程分離，不但可以實現(xiàn)各個過程的獨立、精確控制，而且去除高密度夾雜物效果明顯，在許多方面具有VAR 所無法比擬的優(yōu)勢。
空氣中均勻介質(zhì)阻擋放電研究進(jìn)展

對空氣中均勻DBD研究現(xiàn)狀的綜述在討論均勻DBD的產(chǎn)生方法、機理以及診斷手段基礎(chǔ)上,從電源類型、電極結(jié)構(gòu)及預(yù)電離技術(shù)等方面綜述了空氣中均勻DBD的研究現(xiàn)狀。
利用直流輝光放電等離子體改善聚氯乙烯細(xì)管內(nèi)表面親水性的研究

采用低氣壓氬氣直流輝光放電等離子體對PVC 細(xì)管內(nèi)表面進(jìn)行了處理，使其內(nèi)表面親水性得到顯著改善，且處理效果均勻。
真空度對陰極材料微結(jié)構(gòu)影響的電子顯微分析

行波管內(nèi)的真空度下降，發(fā)射物質(zhì)與空氣中的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，直接導(dǎo)致陰極表面的顯微結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，影響陰極的發(fā)射性能和使用壽命。
不同真空處理時間對SOD、HRP和α-AMY活性的影響

在離子注入生物效應(yīng)的研究中，應(yīng)該考慮真空對生物體所產(chǎn)生的影響，不能完全歸之于注入離子的生物效應(yīng)。
模擬研究常閉和常開工作模式下的平面柵極型碳納米管場發(fā)射電子源

通過對常閉和常開工作模式下平面柵極型碳納米管場發(fā)射電子源中陰極電極斑條表面電場分布的計算,證實了兩種工作模式下該電子源都具有良好的柵控能力。
等離子體清洗同步輻射光學(xué)元件

氧氣和氬氣混合氣體產(chǎn)生的等離子體,可以有效清洗在同步輻射X 射線作用下所產(chǎn)生的沉積于同步輻射光學(xué)元件表面的碳污染。
真空室內(nèi)表面鍍TiZrV抽氣層的性能研究

采用直流磁控反濺射法在不銹鋼真空管道內(nèi)表面均勻鍍上一層TiZrV 薄膜。該薄膜經(jīng)過激活后具有抽氣效應(yīng),能夠使真空管道由原來的系統(tǒng)氣載轉(zhuǎn)變成為管道泵。