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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 離子轟擊對(duì)HIPIMS制備TiN薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響

    本文采用HIPIMS技術(shù)制備TiN薄膜，通過(guò)調(diào)整基底旋轉(zhuǎn)方式控制基體是否接受離子持續(xù)轟擊，進(jìn)而研究離子轟擊對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌以及性能產(chǎn)生的影響。

  • 活塞環(huán)表面CrMoN復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及摩擦學(xué)性能研究

    本文采用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)，通過(guò)改變Mo靶電流值大小在活塞環(huán)表面制備了不同Mo原子百分含量的CrMoN復(fù)合薄膜，并對(duì)其化學(xué)成分、相結(jié)構(gòu)、表面形貌進(jìn)行研究。比較研究了電鍍Cr活塞環(huán)與CrMoN復(fù)合薄膜活塞環(huán)的硬度

  • 射頻磁控濺射法制備TiSiN納米復(fù)合涂層的結(jié)構(gòu)與性能研究

    本文采用工業(yè)上較為常用的射頻磁控濺射工藝制備了TiSiN涂層，系統(tǒng)研究了不同濺射氣壓、不同基片溫度以及不同N2/Ar氣流比條件下TiSiN納米復(fù)合涂層的微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能，并對(duì)TiSiN涂層的濺射工藝進(jìn)行優(yōu)化，以期為該涂

  • 不同調(diào)制比NbSiN/VN多層膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)和摩擦性能研究

    本文設(shè)計(jì)了不同VN膜層厚度的NbSiN/VN多層膜體系，研究不同調(diào)制周期的NbSiN/VN多層膜微觀結(jié)構(gòu)，力學(xué)和摩擦性能。

  • 香蕉片微波真空干燥的工藝參數(shù)優(yōu)化

    本文以福建省主栽名優(yōu)香蕉品種天寶香蕉果實(shí)為原料，重點(diǎn)研究香蕉片微波真空干燥的最佳工藝參數(shù)及其對(duì)香蕉片產(chǎn)品色差、脆度、膨化率和感官質(zhì)量等品質(zhì)的影響，旨在提高香蕉片干制品品質(zhì)，為應(yīng)用微波真空干燥開(kāi)發(fā)新型香

  • 果蔬真空低溫干燥箱擱板的傳熱分析及試驗(yàn)研究

    本文采用試驗(yàn)測(cè)算和分析結(jié)合的方法，模擬加熱擱板在恒速干燥過(guò)程中的熱分布，試驗(yàn)驗(yàn)證擱板熱分布對(duì)獼猴桃切片干燥速率的影響。提出改進(jìn)方案，并分析其合理性。

  • 真空夾具系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    本文根據(jù)實(shí)驗(yàn)室所需加工脆薄玻璃零件的加工要求來(lái)設(shè)計(jì)真空工作臺(tái)系統(tǒng)。介紹了真空吸附的工作原理，描述了氣路設(shè)計(jì)方案、真空吸盤的設(shè)計(jì)及具體氣路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

  • 新型太陽(yáng)熱光伏發(fā)電系統(tǒng)研制成功

    近日美國(guó)麻省理工學(xué)院研究人員開(kāi)發(fā)了一種新型的太陽(yáng)熱光伏發(fā)電系統(tǒng)。該系統(tǒng)在太陽(yáng)電池外面安裝了一個(gè)由碳納米管和光子晶體等組成兩層的吸收—釋放裝置。

  • 真空管道中高溫超導(dǎo)磁懸浮車運(yùn)行時(shí)的振動(dòng)能耗特性

    文中討論磁浮車在這種軌道上的動(dòng)能損耗與磁浮車運(yùn)行速度的關(guān)系。將一定真空環(huán)境中運(yùn)行著的高溫超導(dǎo)磁浮車的這種振動(dòng)近似為彈簧的阻尼振動(dòng)，然后根據(jù)高溫超導(dǎo)體的特性及相應(yīng)測(cè)量值來(lái)確定其剛度系數(shù)與阻尼系數(shù)，從而考

  • 直流電弧等離子蒸發(fā)法制備納米銀粉及其表面改性

    本文制備的銀粉平均粒徑為54nm，粒徑分布在5~220nm區(qū)間，測(cè)試其在無(wú)水乙醇中的pH-zeta電位，并系統(tǒng)研究了表面活性劑種類、加入量及超聲時(shí)間對(duì)銀粉分散性能的影響，將該粉體應(yīng)用在導(dǎo)電漿料中測(cè)試其電性能，并對(duì)其分散

  • 高真空多層絕熱低溫儲(chǔ)罐中含PdO的吸氣劑在77K下吸附性能的研究

    本文以BET(Brunauer-Emmet-tTeller)等溫式為基礎(chǔ)，再利用統(tǒng)計(jì)熱力學(xué)方法，建立吸氣劑吸附等溫線的理論模型，并利用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)該模型進(jìn)行驗(yàn)證和分析，借此評(píng)價(jià)它的準(zhǔn)確性和適用范圍，進(jìn)而從理論上獲得吸氣劑的吸附機(jī)

  • 藍(lán)寶石鍍Ti/Ni復(fù)合膜及高溫預(yù)擴(kuò)散的研究

    本文主要研究了900 ℃ 下， 不同膜厚的鍍Ti/ Ni藍(lán)寶石在不同的保溫時(shí)間下的擴(kuò)散效果， 研究了表面成分及微觀結(jié)構(gòu)與其鍍膜厚度的關(guān)系， 從而總結(jié)出藍(lán)寶石的最佳鍍膜厚度及高溫預(yù)擴(kuò)散工藝規(guī)律，該規(guī)律對(duì)今后的實(shí)踐應(yīng)用

  • 鋁合金表面磁控濺射Cu膜的鍍制及其低溫釬焊性能研究

    Ti作為過(guò)渡層可改善膜基結(jié)合力，本文采用離子注入技術(shù)與磁控濺射鍍膜結(jié)合的方法對(duì)鋁合金進(jìn)行表面改性，主要考察了磁控濺射鍍膜中基體偏壓對(duì)薄膜沉積速率、表面形貌、相結(jié)構(gòu)以及低溫釬焊性能的影響。

  • 微晶硅薄膜材料的沉積以及微結(jié)構(gòu)與光電特性的研究

    本文采用RF-PECVD技術(shù)，在較高的射頻功率和沉積氣壓條件下，通過(guò)改變硅烷濃度和襯底溫度等參數(shù)，制備微晶硅薄膜材料。研究了沉積參數(shù)對(duì)微晶硅薄膜材料的微結(jié)構(gòu)以及光電特性的影響，并研究了它們光電特性及其相關(guān)性。

  • 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)及其應(yīng)用研究

    關(guān)于ALD技術(shù)和工藝的研究已經(jīng)較為深入，關(guān)于PEALD技術(shù)和應(yīng)用的研究也越來(lái)越受到研究者的關(guān)注。為了深入研究PEALD的關(guān)鍵技術(shù)和工藝條件，作者設(shè)計(jì)了一套遠(yuǎn)程脈沖PEALD系統(tǒng)，并首次探索了其在原位沉積氮摻雜納米TiO2可

  • 直流熱陰極PCVD法間歇生長(zhǎng)模式制備透明金剛石膜

    采用直流熱陰極PCVD技術(shù)，進(jìn)行了甲烷和氫氣條件下加入氮?dú)庵苽渫该鹘饎偸さ难芯�，主要是通過(guò)設(shè)置刻蝕步驟，改變溫度和時(shí)間參數(shù)，在間歇生長(zhǎng)模式下使氫和氮原子共同作用，實(shí)現(xiàn)對(duì)非金剛石成份的刻蝕和金剛石的擇優(yōu)取

  • 影響真空濺射用射頻電源特性因素的研究

    本文主要研究了射頻電源的功率轉(zhuǎn)換效率和頻率穩(wěn)定性的影響因素，分析了E 類功率放大器的工作特性，推演了最大輸出功率;設(shè)計(jì)了射頻電源驅(qū)動(dòng)級(jí)電路，并對(duì)其進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試。

  • 氧摻雜對(duì)磁控濺射ZAO薄膜性能的影響

    本文使用可進(jìn)行較大面積鍍膜的濺射鍍膜線對(duì)玻璃基片進(jìn)行ZAO薄膜的制備，研究氧摻雜對(duì)ZAO薄膜性能的影響，驗(yàn)證其對(duì)于實(shí)際生產(chǎn)的應(yīng)用價(jià)值。

  • 外延BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

    本文選擇用5%的Mn離子代替BiFeO3中的Fe離子，用磁控濺射的方法在SrTiO3單晶基片上外延生長(zhǎng)了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜，探索制備外延薄膜的最佳工藝條件，分析沉積溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。

  • 酸化紙質(zhì)文物水溶液真空脫酸和冷凍干燥試驗(yàn)研究

    為了提高紙質(zhì)文物的脫酸效率并改善脫酸后紙質(zhì)文物的干燥效果，本文將以真空脫酸的方式對(duì)紙質(zhì)文物進(jìn)行高效脫酸，并采用真空冷凍干燥技術(shù)對(duì)脫酸后的紙質(zhì)文物進(jìn)行凍干，為批量紙質(zhì)文物脫酸干燥提供經(jīng)驗(yàn)。

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