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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

氧化鎳薄膜阻變特性研究進(jìn)展

本文從器件結(jié)構(gòu)、開關(guān)機(jī)理及摻雜等方面對(duì)近年來NiO薄膜阻變特性研究進(jìn)行了綜述與分析，并對(duì)阻變存儲(chǔ)未來發(fā)展趨勢(shì)及面臨的挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望。
杏鮑菇微波真空薄層干燥數(shù)學(xué)模型建立與評(píng)價(jià)

本文以杏鮑菇為原料，通過單因素試驗(yàn)，研究微波強(qiáng)度、物料厚度和腔體絕對(duì)壓力等因素對(duì)杏鮑菇微波真空干燥過程物料含水率和干燥速率的影響。
柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池研究進(jìn)展

本文對(duì)柔性襯底CIGS太陽能電池的結(jié)構(gòu)、特性以及襯底材料作了簡單介紹，綜述了柔性CIGS太陽能電池近年來的研發(fā)現(xiàn)狀，最后就柔性CIGS太陽能電池的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化過程中存在的問題進(jìn)行了分析與歸納。
平面磁控濺射靶磁場(chǎng)的模擬優(yōu)化設(shè)計(jì)

本文根據(jù)磁控濺射靶的特點(diǎn)，基于ANSYS軟件模擬了二維磁控濺射靶磁場(chǎng)的分布，提出一種采用兩磁導(dǎo)片結(jié)構(gòu)來改善磁控濺射靶面水平磁場(chǎng)分布的方法。
平板等離子體紫外光源紫外光輻射效率研究

在本文中，采用ITO作為前極板、與玻璃牢固結(jié)合的鋁箔作為后極板、多孔氧化鋁作為介質(zhì)，設(shè)計(jì)了一種平板等離子體紫外光源。
逆向熱鍵合技術(shù)制作SU-8膠納流控通道

本文分析了界面間粘附能的大小對(duì)圖形轉(zhuǎn)移和鍵合過程的影響，并通過改變封裝膠層的厚度，獲得了不同尺寸的納米通道，建立起膠層厚度和納米通道尺寸精確的線性關(guān)系。
孿生磁控濺射制備氮化鉻涂層的研究

本文的主要目的是利用中頻磁控濺射技術(shù)優(yōu)勢(shì)制備CrNx涂層并研究氮?dú)饬髁繉?duì)涂層結(jié)構(gòu)、耐腐蝕等性能的影響。
離子束輔助磁控濺射沉積CrNx薄膜結(jié)構(gòu)以及力學(xué)性能研究

本文采用離子束輔助磁控濺射制備CrNx薄膜，研究了不同氮?dú)饬髁肯卤∧さ奈⑿蚊�、組織結(jié)構(gòu)以及硬度、彈性模量的變化，分析了離子束輔助對(duì)反應(yīng)磁控濺射沉積CrNx薄膜的影響。
反應(yīng)磁控濺射技術(shù)的發(fā)展情況及趨勢(shì)

綜述了反應(yīng)磁控濺射技術(shù)的發(fā)展情況。分析了模擬反應(yīng)磁控濺射的“Berg”經(jīng)典模型;詳述了反應(yīng)磁控濺射過程中遲滯效應(yīng)和打火現(xiàn)象的產(chǎn)生原理及過程;分析了消除遲滯效應(yīng)和打火現(xiàn)象的各種方法并提出個(gè)人的觀點(diǎn);展望了反應(yīng)
柵極絕緣層和有源層沉積工藝的優(yōu)化對(duì)TFT特性的影響研究

本文針對(duì)AL層的SiH4和H2流量、壓力、間距以及功率設(shè)計(jì)了5因子2水平的1/4的部分因子實(shí)驗(yàn)，確定了AL層提升Ion的最佳的沉積條件，在AL層的最佳的沉積條件的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)GL層的NH3流量和功率的全因子實(shí)驗(yàn)。
強(qiáng)流脈沖電子束輻照YG6X硬質(zhì)合金表層組織與性能研究

本文選用YG6X硬質(zhì)合金為實(shí)驗(yàn)材料，研究HCPEB處理表層的組織和性能變化規(guī)律，探索運(yùn)用HCPEB技術(shù)進(jìn)行硬質(zhì)合金表面輻照改性的應(yīng)用前景。
菱鎂石和白云石的煅燒條件對(duì)球團(tuán)密度及還原過程的影響

本文研究了白云石和菱鎂石的煅燒條件對(duì)其壓制成球團(tuán)的密度的影響。同時(shí)以鋁熱還原煅燒菱鎂石和煅燒白云石的混合物為例，討論了煅燒條件對(duì)還原過程的影響。
類金剛石膜-磨�；瑒�(dòng)接觸過程的有限元分析

本文采用ANSYS有限元軟件分析磨粒與DLC膜表面滑動(dòng)接觸的整個(gè)過程，研究DLC膜表面接觸區(qū)域的相關(guān)應(yīng)力和應(yīng)變的變化特點(diǎn)，力圖為DLC膜的表面磨損機(jī)理研究以及抗磨設(shè)計(jì)提供相關(guān)理論依據(jù)。
高爐粉塵球團(tuán)真空碳熱還原過程中Zn還原動(dòng)力學(xué)

本文對(duì)真空條件下碳熱還原高爐粉塵球團(tuán)過程中Zn還原動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了研究，闡述了其還原機(jī)理，建立了Zn還原宏觀動(dòng)力學(xué)方程，找出了Zn還原的限制性環(huán)節(jié)，為高爐粉塵球團(tuán)真空碳熱還原工藝脫鋅并回收鋅提供了理論基礎(chǔ)。
放電功率對(duì)VHF- PECVD沉積微晶硅薄膜的生長特性的仿真模擬

本文采用Comsol中的等離子體模塊和Chemkinpro中的AUROR模塊相結(jié)合的方法，研究了甚文頻PEVCD沉積μc-Si:H薄膜過程中放電功率對(duì)等離子體特性、氣相反應(yīng)和表面生長的影響，并與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了比較。
真空管道高速列車氣動(dòng)阻力及系統(tǒng)參數(shù)設(shè)計(jì)

本文建立低壓環(huán)境下真空管道高速列車空氣動(dòng)力學(xué)計(jì)算的流體模型、數(shù)學(xué)模型和數(shù)值計(jì)算模型，對(duì)不同管道壓力、不同阻塞比和不同列車速度下的真空管道高速列車空氣動(dòng)力學(xué)特性進(jìn)行分析。
磁控濺射摻銅TiO2薄膜光學(xué)特性的分析

本文采用了磁控濺射法制備Cu摻雜TiO2薄膜，分析了Cu 的摻雜量對(duì)TiO2薄膜吸光度，禁帶寬度的影響，探究Cu在TiO2薄膜中的形態(tài)特征。
SiCOH低k介質(zhì)中低表面粗糙度溝道的刻蝕研究

本工作以獲得具有完整剖面結(jié)構(gòu)的低表面粗糙度溝道為目標(biāo)，采用C2F6/O2/Ar雙頻容性耦合等離子體，開展了SiCOH低k介質(zhì)中溝道刻蝕的研究。
氮流量比對(duì)直流/射頻磁控濺射CrN涂層耐腐蝕性的影響

本文采用線性極化曲線的方法計(jì)算極化電阻，并利用測(cè)得的動(dòng)態(tài)極化曲線獲得腐蝕電流icorr。采用Sirion場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)觀察涂層腐蝕前后的形貌，并測(cè)定涂層厚度。
表面波激勵(lì)等離子天線輻射方向圖重構(gòu)方法研究

本文采用軟件仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證相結(jié)合的方法對(duì)等離子天線方向圖的可重構(gòu)性能進(jìn)行研究。