真空應(yīng)用
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超長氧化釩納米線的制備與表征
本文以V2O5為原料,以乙二胺為模板劑,結(jié)合溶膠凝膠法和水熱法制備了V2O5納米線,并利用掃描電子顯微鏡(SEM),傅里葉紅外光譜儀(FT-IR),拉曼光譜儀和X射線衍射(XRD)儀對樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和組成成分進(jìn)行了表征和分析
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郎穆爾探針低溫低壓等離子體診斷
本文基于OrbitalMotionLimit(OML)離子收集理論確定探針電壓、電流與等離子體狀態(tài)參數(shù)的函數(shù)關(guān)系,應(yīng)用自編Matlab程序?qū)μ结槞z測數(shù)據(jù)進(jìn)行多重濾波處理,得到的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行比較,期望提高探針的檢測精度。
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不同等離子體壓強(qiáng)時擾動磁場的演化規(guī)律
本文旨在應(yīng)用半解析方法,對擾動磁場隨等離子體壓強(qiáng)的演化規(guī)律進(jìn)行數(shù)值模擬,并給出直圓柱位形下,不同等離子體壓強(qiáng)時,徑向擾動磁場、角向擾動磁場和軸向擾動磁場隨等離子體柱的半徑r的演化規(guī)律。
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工作壓強(qiáng)對輝光放電聚合物薄膜化學(xué)結(jié)構(gòu)與表面形貌的影響
本文研究了工作壓強(qiáng)對GDP薄膜表面形貌與化學(xué)結(jié)構(gòu)的影響。利用功率譜密度(PSD)曲線對薄膜表面形貌進(jìn)行全頻譜分析,計算了與薄膜形貌生長相關(guān)的參數(shù)。
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低氣壓射頻空心陰極放電氬等離子體發(fā)射光譜分析
本文以射頻空心陰極放電等離子體為研究對象, 重點(diǎn)研究低于10Pa氣壓的放電工藝參數(shù)對于發(fā)射光譜的影響規(guī)律。
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電子回旋共振等離子體輔助原子層沉積金屬鋁薄膜的研究
本文在電子回旋共振等離子體輔助下,以三甲基鋁為鋁源,氫氣為還原劑,通過將它們交替通入反應(yīng)腔內(nèi),成功制備了金屬鋁薄膜,研究沉積參數(shù)對Al薄膜的性能和結(jié)構(gòu)成分的影響。
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基體偏壓對高功率脈沖磁控濺射制備類石墨碳膜的影響研究
采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)于Si基底表面制備了類石墨碳膜, 研究了基體偏壓對薄膜沉積速率、微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能及摩擦學(xué)性能的影響規(guī)律。
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襯底溫度對ZnO:Al薄膜熱電性能影響的研究
本文采用AZO陶瓷靶,用直流磁控濺射的方法在不同溫度的玻璃襯底上生長AZO薄膜,通過對所制備薄膜進(jìn)行微結(jié)構(gòu)、熱電性能的檢測和分析,研究襯底溫度對所制備的AZO薄膜熱電特性影響的變化規(guī)律。
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摻雜對ZnO溶膠凝膠薄膜光電特性影響的研究進(jìn)展
ZnO作為一種重要半導(dǎo)體材料,在光電領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。本文從第一性原理理論計算和實(shí)驗(yàn)方面綜述了摻雜對ZnO薄膜光電特性的影響。
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移動式真空汽相干燥設(shè)備及其應(yīng)用
巨型變壓器,采用“解體運(yùn)輸,現(xiàn)場組裝”制造技術(shù),已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。在電站現(xiàn)場,汽相干燥處理這些巨型變壓器,效率高,質(zhì)量好,已經(jīng)是很成熟的技術(shù)。移動式汽相干燥設(shè)備設(shè)計和制造已經(jīng)取得豐富經(jīng)驗(yàn)。
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一維碳納米材料的研究進(jìn)展
本文綜述了一維碳納米材料的制備、結(jié)構(gòu)和形貌以及潛在應(yīng)用價值的研究進(jìn)展,探討了該研究領(lǐng)域需要解決的問題以及今后可能的發(fā)展前景。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜