真空應(yīng)用
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石英脫羥真空爐的機(jī)械設(shè)計(jì)研究
石英真空脫羥爐是金鹵燈用石英玻璃脫羥工藝的關(guān)鍵設(shè)備。分析了石英脫羥爐的核心部件加熱器、隔熱屏的設(shè)計(jì)思路,根據(jù)計(jì)算功率進(jìn)行了加熱器的設(shè)計(jì)計(jì)算和校核;闡述了抽真空系統(tǒng)和快速冷卻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路等。
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真空蒸發(fā)制備CdSexTe1-x薄膜及其性能研究
按不同比例混合CdTe和CdSe兩種化合物,利用真空蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備了CdSexTe1-x三元化合物薄膜,分別利用XRD、SEM、EDX、XPS、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、元素組成以及光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試
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氟磷酸鈣和碳反應(yīng)生成CaO、CO、CaF2 和PO(g)的熱力學(xué)計(jì)算
本文研究氟磷酸鈣提煉磷生成PO(g)過(guò)程中的壓力和溫度之間的熱力學(xué)關(guān)系。
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基于PLC的磁控濺射溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文以西門(mén)子S7-300可編程控制器(PLC)為控制核心,通過(guò)觸摸屏構(gòu)成人機(jī)交換界面(HMI),論述了磁控濺射溫度控制系統(tǒng)的性能特征與控制方法。
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低地球軌道空間等離子體參數(shù)的試驗(yàn)研究
本文采用微波電子回旋共振(ECR)等離子體源模擬了空間等離子體,運(yùn)用靜電探針?lè)ǐ@取了等離子體的伏安特性曲線(xiàn),并分析了氣流量和微波源功率對(duì)電子密度的影響,對(duì)模擬分析不同軌道高度空間等離子體對(duì)航天器電位影響有
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HMX顆粒的氣相沉積包覆研究
本文通過(guò)真空氣相沉積技術(shù),在HMX炸藥顆粒表面成功包覆了石蠟和paralene膜,并且在膜較薄情況下實(shí)現(xiàn)了包覆度100%。測(cè)試了HMX氣相包覆顆粒的機(jī)械感度和靜電火花感度。
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有機(jī)器件中低溫低損傷磁控濺射沉積透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)的研究進(jìn)展
索出一種低溫低損傷高速沉積性能優(yōu)異透明導(dǎo)電薄膜的制備技術(shù),是提高有機(jī)光電器件性能的關(guān)鍵。
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真空碳熱還原煅白的熱力學(xué)分析
本文對(duì)煅白真空碳熱還原法制取鎂反應(yīng)過(guò)程進(jìn)行了熱力學(xué)分析,在系統(tǒng)壓力30~100Pa,還原溫度1573K條件下,C與MgO反應(yīng)生成鎂蒸氣;溫度達(dá)到1667K時(shí),C與CaO反應(yīng)生成CaC2,在此溫度條件下,CaC2也可與MgO反應(yīng)生成鎂蒸氣
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鋁誘導(dǎo)晶化低溫制備多晶硅薄膜的機(jī)理研究
本文根據(jù)熱力學(xué)第二定律的Gibbs自由能描述,理論研究了AIC制備多晶硅薄膜的ALILE機(jī)理,同時(shí)結(jié)合理論研究和實(shí)驗(yàn)結(jié)果理論計(jì)算了AIC制備多晶硅薄膜的激活能。
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0Cr18Ni9Ti不銹鋼表面等離子滲鋯合金層的研究
利用輝光等離子滲金屬技術(shù),在0Cr18Ni9Ti不銹鋼表面形成滲Zr合金層,探討了極間距、氣壓、保溫溫度、源-陰極電壓差、保溫時(shí)間對(duì)滲Zr合金層厚度的影響,進(jìn)而優(yōu)化工藝參數(shù),并對(duì)合金層的金相組織、元素分布及物相組成
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W含量對(duì)CrSiWN薄膜微觀(guān)結(jié)構(gòu)、力學(xué)及摩擦性能的影響
采用射頻磁控濺射制備不同W含量的CrSiWN薄膜。利用X射線(xiàn)衍射、掃描電鏡、能量散射譜、納米壓痕儀和摩擦磨損實(shí)驗(yàn)機(jī)對(duì)薄膜的相結(jié)構(gòu)、形貌、成分和摩擦性能進(jìn)行分析。
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ZnO插層對(duì)超薄坡莫合金薄膜各向異性磁電阻的影響
本實(shí)驗(yàn)以ZnO作為T(mén)a(4nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)薄膜中Ta層和Ni81Fe19層界面處的納米氧化層,研究氧化層ZnO的插入對(duì)坡莫合金薄膜AMR的影響。
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鍍膜技術(shù)對(duì)金屬薄膜性能與制備氫化物薄膜的影響
分析了熱蒸發(fā)、濺射和脈沖激光沉積三種鍍膜技術(shù)鍍金屬薄膜的性能特點(diǎn)。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道數(shù)據(jù),研究了三種鍍膜技術(shù)鍍金屬薄膜的成膜機(jī)理、晶格參數(shù)、膜力學(xué)性能的差別。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜