真空應(yīng)用
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真空蒸鍍鍺摻雜多晶硅薄膜的研究
用掃描電子顯微鏡(KYKY-1000B)和顯微激光拉曼光譜儀(JY Labram HR 800)分析研究了不同摻雜分?jǐn)?shù)的鍺成分對摻鍺多晶硅薄膜的表面形貌、組織結(jié)構(gòu)及薄膜晶化率的影響。
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鋁摻雜及溫度對氧化鋅薄膜發(fā)光特性的影響
本文中采用水熱法制備了摻鋁氧化鋅(AZO)納米結(jié)構(gòu)薄膜,使用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)和變溫光致發(fā)光譜技術(shù)測試了薄膜的微結(jié)構(gòu)和在低溫下的光致發(fā)光特性,并分析了鋁摻雜和溫度變化對氧化鋅光致發(fā)光譜的影響。
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真空管道磁浮列車救援動(dòng)力學(xué)仿真分析
本文從管道失壓時(shí)救援角度分析得出了比較優(yōu)化的真空管道相鄰閘門距離,這對于維持平時(shí)管道壓強(qiáng)和列車救援都有一定的指導(dǎo)意義。
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柵網(wǎng)式離子能量分析儀中柵網(wǎng)特性的模擬研究
本文基于柵網(wǎng)式離子能量測試原理,采用離子光學(xué)模擬軟件Simion7.0對柵網(wǎng)式離子能量分析儀的網(wǎng)格大小和網(wǎng)格間距進(jìn)行了理論分析,這兩個(gè)幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)影響著離子能量的測試。理
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滅弧室內(nèi)真空度與局部放電關(guān)系的研究
為研究真空斷路器滅弧室內(nèi)真空度與局部放電狀態(tài)的關(guān)系,設(shè)計(jì)了一套模擬斷路器運(yùn)行的試驗(yàn)平臺(tái),采用特高頻方法測量了滅弧室內(nèi)不同真空度下的局部放電信號。
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聯(lián)合卡爾曼濾波器在真空斷路器真空度測量中的應(yīng)用
傳統(tǒng)的真空滅弧室真空度測量方法只在一定的真空度范圍內(nèi)測量精度較高, 且易受外界干擾, 為了獲得準(zhǔn)確的真空度數(shù)據(jù), 使用橫磁場脈沖磁控法和改進(jìn)的屏蔽罩電位法測量真空度, 利用聯(lián)合卡爾曼濾波器對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行融合。
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真空熱處理對等離子噴涂熱障涂層結(jié)合強(qiáng)度的影響
采用等離子噴涂制備熱障涂層NiCoCrAlY/8YSZ,應(yīng)用拉伸法研究了真空擴(kuò)散熱處理對結(jié)合強(qiáng)度的影響。
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熱電偶在真空熱處理爐中的應(yīng)用及選擇
對比了高溫段國外真空熱處理爐選用的熱電偶與國內(nèi)的不同。最后介紹了熱電偶保護(hù)管的類型及各類保護(hù)管在真空熱處理爐中的應(yīng)用。
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基于CC430的真空開關(guān)真空度監(jiān)測系統(tǒng)設(shè)計(jì)
真空開關(guān)的真空度在發(fā)生變化時(shí)會(huì)引起屏蔽罩發(fā)生一系列變化,利用傳感器檢測屏蔽罩的電信號,再經(jīng)過濾波、放大后送 往CC430進(jìn)行處理、分析和比較來確定滅弧室真空度的值。
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真空開關(guān)交流耐壓與真空度試驗(yàn)意義
本文分析了真空開關(guān)交流耐壓試驗(yàn)和真空度測量的區(qū)別和聯(lián)系,二者要結(jié)合起來,互相補(bǔ)充,才能及早發(fā)現(xiàn)開關(guān)真空度泄漏的缺陷,防止開關(guān)爆炸事故。
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真空斷路器真空泡真空度降低故障處理及預(yù)防措施
本文在簡要介紹真空斷路器基礎(chǔ)上,分析了斷路器真空泡真空度降低故障原因、故障危害、故障處理方法,最后針對存在問題 從設(shè)備選型及運(yùn)維修角度出發(fā),提出預(yù)防措施。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜