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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 大面積石墨烯二維晶體可控生長(zhǎng)及其器件應(yīng)用

    石墨烯是理想的二維晶體，具有超高的載流子遷移率、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率、透光性、強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，在高速計(jì)算芯片、復(fù)合材料、平板顯示、儲(chǔ)能元件呈現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

  • Si(100)表面二聚體翻轉(zhuǎn)觸發(fā)的自發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng)

    Si(100)表面的二聚體翻轉(zhuǎn)在小分子解離吸附反應(yīng)中起到了重要作用，可以觸發(fā)其自發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，對(duì)理解類似反應(yīng)機(jī)理提供了參考，解決了之前理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在偏差的問(wèn)題。

  • WS2納米管的電學(xué)和光電特性及其納米器件研究

    與石墨烯類似，硫化鉬和硫化鎢等無(wú)機(jī)材料也具有層狀結(jié)構(gòu)，層間以范德瓦爾斯力相連，片層表面沒(méi)有懸掛鍵，特別是它們本身具有半導(dǎo)體特性，還能吸收可見(jiàn)光。

  • 基于GARFIELD 的氣體電子倍增器的特性模擬

    氣體電子倍增器具有高計(jì)數(shù)率、抗輻射、高位置分辨率和時(shí)間分辨率等優(yōu)點(diǎn)，已在粒子物理領(lǐng)域獲得了重要應(yīng)用，并在生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)和天體物理學(xué)等其他領(lǐng)域也表現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。

  • 波段大功率速調(diào)管快速啟動(dòng)陰極的研究進(jìn)展

    本文主要通過(guò)對(duì)S 波段大功率速調(diào)管陰極熱子熱屏組合結(jié)構(gòu)改進(jìn)及加熱方式的試驗(yàn)研究，陰極預(yù)熱時(shí)間從原來(lái)15 min 的降至140 s，大大縮短了陰極的預(yù)熱時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)陰極的快速啟動(dòng)。

  • 金納米結(jié)構(gòu)的局域表面等離子體激元共振

    目前關(guān)于金屬納米結(jié)構(gòu)局域表面等離子體共振的研究吸引了國(guó)內(nèi)外眾多學(xué)者的興趣，在本報(bào)告中將首先簡(jiǎn)單介紹該領(lǐng)域的一些研究現(xiàn)狀。其次，將匯報(bào)一下關(guān)于金納米結(jié)構(gòu)局域表面等離子體共振近期的一些工作結(jié)果。

  • 等離子體紫外光源技術(shù)的進(jìn)展及應(yīng)用

    隨著技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，平板紫外光源技術(shù)得到發(fā)展，體現(xiàn)了良好的發(fā)展前景。

  • 氧化鋅納米冷陰極及應(yīng)用探索

    基于場(chǎng)致電子發(fā)射原理的冷陰極有可能在平板顯示器、太陽(yáng)能電池、微型衛(wèi)星助推器、微型質(zhì)譜儀、平行電子束光刻、冷陰極發(fā)光管、微真空三極管等信息電子器件上獲得應(yīng)用。

  • 微波真空器件中的微電子技術(shù)

    基于場(chǎng)致發(fā)射陰極和現(xiàn)代微細(xì)加工技術(shù)制作的微波真空電子器件，既可以實(shí)現(xiàn)器件的抗輻射，耐高溫，高頻率，大功率和瞬時(shí)啟動(dòng)，同時(shí)又能具有小體積，高效率，集成化和低成本，是性能十分理想的新型電子器件。

  • 有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體材料與太陽(yáng)電池

    有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體材料是一種新型人工合成材料，兼具有機(jī)、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)，在性能上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)協(xié)同與功能互補(bǔ)，受到材料、物理、化學(xué)、信息、能源等研究領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，并已應(yīng)用于新型太陽(yáng)電池的研制。

  • 功率半導(dǎo)體器件技術(shù)

    功率半導(dǎo)體，即進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件，它包括功率二極管、功率開(kāi)關(guān)器件與功率集成電路，前兩者也稱為功率(分立)器件。

  • W 波段固態(tài)電子器件與電路

    W 波段電路對(duì)固態(tài)電子器件的頻率特性提出了非常高的要求。InP 基材料由于具有載流子遷移率高、能帶易于剪裁等特點(diǎn)在毫米波和太赫茲領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。

  • 拓?fù)浣^緣體納米結(jié)構(gòu)與器件

    本報(bào)告將介紹最近開(kāi)展的拓?fù)浣^緣體納米結(jié)構(gòu)的范德華外延生長(zhǎng)、譜學(xué)、電學(xué)輸運(yùn)特性以及透明柔性導(dǎo)電薄膜應(yīng)用等方面的研究。

  • 基于非晶InGaZnO材料的阻變存儲(chǔ)器與憶阻器

    從材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對(duì)電學(xué)輸運(yùn)影響較小且遷移率較高的特點(diǎn)。

  • 硅襯底上無(wú)微裂稀反極性疇AlN 薄膜的分子束外延研究

    氮化鋁(AlN)薄膜作為改善異質(zhì)外延界面、調(diào)控?zé)崾鋺?yīng)力最有效的過(guò)渡層，是最關(guān)鍵的外延層之一。

  • 直流磁控共濺射制備Zn-Sb 熱電薄膜的研究

    本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理?xiàng)l件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。

  • 真空環(huán)境中多場(chǎng)耦合對(duì)Au/Cu/Si 薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響

    本研究中通過(guò)模擬的低地球軌道環(huán)境對(duì)Au/Cu/Si 薄膜樣品進(jìn)行處理，同時(shí)運(yùn)用俄歇電子能譜、原子力顯微鏡、X 射線衍射等分析方法，研究薄膜表面和界面結(jié)構(gòu)，界面層產(chǎn)物分布以及原子擴(kuò)散過(guò)程。

  • 鋼基CVD 金剛石薄膜的制備、微結(jié)構(gòu)及其機(jī)械性能的研究

    通過(guò)本文的研究，在鋼基上CVD 金剛石薄膜的機(jī)械和耐腐蝕性能方面取得了明顯的突破，將有利于推動(dòng)這種具有優(yōu)良性能的耐磨涂層體系的工業(yè)化應(yīng)用。

  • 高遷移率Al-In-Zn-O 氧化物薄膜晶體管的研究

    為了降低工業(yè)化成本，溶液法制備TAOS-TFT 受到了研究人員的青睞。然而，溶液法制備的氧化物半導(dǎo)體薄膜由于缺陷的存在，從而使得器件的遷移率較低、關(guān)態(tài)電流較大。

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