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真空技術網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術及真空泵等真空設備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

  • 山楂漿物性參數(shù)的測定對凍干工藝參數(shù)的優(yōu)化

    山楂漿共晶點和共熔點溫度以及含水率等物性參數(shù)的測定對于山楂漿凍干工藝參數(shù)的優(yōu)化有著重要的意義。

  • 真空吸盤的真空系統(tǒng)選用及吸盤提升力的計算

    講述了真空吸盤的真空系統(tǒng)選用要點以及真空吸盤提升力的計算。

  • 永磁機構(gòu)斷路器的工作原理

    介紹了真空斷路器的發(fā)展及永磁機構(gòu)型斷路器的主要結(jié)構(gòu)、性能,著重分析了永磁操動機構(gòu)的控制系統(tǒng)原理,將永磁機構(gòu)與真空斷路器進行完美匹配,提高了斷路器的可靠性及壽命。

  • 無柵網(wǎng)離子源的工作原理

    無柵網(wǎng)離子源的工作原理類似于磁控濺射,陽極偏壓在磁力線束縛電子的區(qū)域產(chǎn)生高密度等離子體(high ne ionization region),離子的飛行軌跡不受磁場的影響,在偏壓VDC作用下加速向陰極飛行,在開口處形成能量為VDC離子束,

  • 電子回旋共振(ECR)離子源的工作原理

    ECR離子源微波能量通過微波輸入窗(由陶瓷或石英制成) 經(jīng)波導或天線耦合進入放電室, 在窗上表面的永磁系統(tǒng)產(chǎn)生的高強磁場作用下, 放電室內(nèi)的氣體分子的外層電子做回旋運動。

  • RF-CCP(電容耦合) 和RF-ICP(感應耦合)離子源的結(jié)構(gòu)原理

    電容耦合方式是由接地的放電室(由復合系數(shù)很小的材料如石英做成)和引入的驅(qū)動電極作為耦合元件，射頻ICP源的發(fā)射天線繞在電絕緣的石英放電室外邊,當通過匹配網(wǎng)絡將射頻功率加到線圈上時,線圈中就有射頻電流通過,于是

  • Kaufman低能寬束離子源的結(jié)構(gòu)原理

    Kaufman離子源是由陰極(Cathode)、陽極(Anode)、柵極(Grids)、放電室圓筒構(gòu)成氣體放電室(Discharge Chamber),柵極構(gòu)成離子光學系統(tǒng)。

  • 磁控濺射法鍍制紅外低輻射膜的光熱性能

    本文對薄膜的節(jié)能原理、制備方法、膜層結(jié)構(gòu)及其光學、熱學性能進行了綜述, 較詳細地論述了目前低輻射薄膜研究中較為突出的金屬銀氧化和介質(zhì)層增透的問題。

  • 紅外低輻射膜的典型膜層結(jié)構(gòu)

    低輻射薄膜的中間金屬層起著反射紅外線的重要作用,一般選用銀,因它在對紅外光具有較高反射率的同時,對可見光還具有較高的透射率,按銀膜的數(shù)量可分為單銀膜 、雙銀膜和多銀膜,每層銀膜厚度一般在10~18nm之間。

  • 紅外低輻射薄膜的節(jié)能原理

    膜層的電導率σ值越大, 它對入射光的反射率越大; 電磁輻射的頻率υ越小(或波長越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 導電薄膜對波長較大的紅外線具有高反射性。

  • 射頻識別系統(tǒng)在凍干工藝的應用

    按照凍干工藝的需要,在射頻卡中寫入物料的種類、形狀、分切方式、凍干層厚度、面積、加熱方式、擱板層數(shù)等相關參數(shù),再把射頻卡貼在需要凍干的物料上。當貼有射頻卡的物料進入安裝在凍干機上的讀寫器的工作范圍,讀寫

  • 射頻識別系統(tǒng)RFID的工作原理

    射頻識別( Radio Frequency Identification) 是一種非接觸的自動識別技術。射頻識別系統(tǒng)包括讀寫器、電子標簽(射頻卡)和控制單元三部分。

  • ZnO薄膜的器件應用

    ZnO薄膜的主要應用有用作光伏電池的電極和窗口材料、在發(fā)光器件的應用、ZnO基紫外探測器、作為緩沖層/襯底、壓敏器件、氣敏傳感器、壓電器件。

  • ZnO薄膜的主要性質(zhì)

    本文講述了ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學性質(zhì)、電學性質(zhì)等性質(zhì)。

  • 化學法制備ZnO薄膜的方法

    PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、噴霧熱解法(Spray Pyrolysis)、溶膠- 凝膠法是目前主要的一些化學制備ZnO薄膜的方法。

  • 物理法制備ZnO薄膜的方法

    物理法制備ZnO薄膜的的主要方法有濺射法(Sputtering)、脈沖激光沉積法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子層外延生長法(ALE)等。

  • 寬禁帶半導體ZnO薄膜的制備工藝

    ZnO薄膜的制備方法有多種,大致分為物理法和化學法,可以滿足不同的需求，由于化學穩(wěn)定性好,良好的機電耦合性,工藝簡單,這使得ZnO 薄膜在近年來受到越來越多的重視,成為化合物半導體領域中的一個研究熱點,基于ZnO的器

  • 熱處理和摻雜對TiO2薄膜折射率的影響

    隨著熱處理溫度的升高,薄膜折射率也逐漸增大。850℃熱處理后的氧化鈦薄膜折射率最高為2.34。適量摻雜CeO2會提高薄膜的折射率,過量摻雜CeO2反而會降低折射率。

  • 電子束蒸發(fā)法工藝對TiO2薄膜折射率的影響

    基片溫度、真空度、沉積速率、其他工藝條件等都對電子束蒸發(fā)法工藝對TiO2薄膜折射率的影響。

  • 有機玻璃蒸發(fā)鍍鋁的實驗結(jié)果及鋁膜分析

    增加鉻過渡層的樣品, 鋁膜結(jié)合的非常牢固, 附著力得到很大的提高。 采用電子束蒸發(fā)技術, 在使用合適的工藝參數(shù)下, 可以在有機玻璃表面制備附著力好、耐腐蝕的高反射鋁膜。