濺射鍍膜
推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場達(dá)不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場強(qiáng)度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強(qiáng)度。
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半球形工件內(nèi)表面濺射鍍膜的膜厚均勻性研究
本文分別建立了計(jì)算模型，將圓平面靶的濺射區(qū)域簡化為線形圓環(huán)跑道，在靶材表面余弦發(fā)射、空間直線飛行的基本假設(shè)下，推導(dǎo)得到了各自的半球形工件內(nèi)表面上的膜厚分布計(jì)算公式。
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高頻半橋直流磁控濺射電源設(shè)計(jì)
穩(wěn)定可靠的直流電源是直流磁控濺射鍍膜質(zhì)量的關(guān)鍵，本文采用開關(guān)頻率為50 kHz 的半橋拓?fù)洌瑢χ骰芈方Y(jié)構(gòu)和參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
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氣壓及偏壓對磁控濺射TaN薄膜力學(xué)性能影響
采用電子回旋共振增強(qiáng)磁控濺射在不銹鋼基體上制備六方相TaN薄膜,并研究了氣壓及偏壓對TaN薄膜結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能的影響。
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直流磁控共濺射制備Zn-Sb 熱電薄膜的研究
本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理?xiàng)l件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。
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影響磁控濺射制備TiO2 薄膜性能的因素研究
從研究制備條件對Ti02薄膜的透射率及光學(xué)常數(shù)的影響出發(fā)，利用分光光度計(jì)測量薄膜的透射率，橢圓偏振光譜儀作為確定薄膜光學(xué)參數(shù)的測試儀器，研究了不同制備條件對Ti02薄膜光學(xué)特性的影響。
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離子源對中頻反應(yīng)濺射沉積AlN 薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響
本文采用離子源輔助中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)沉積AlN 薄膜，通過中頻反應(yīng)磁控濺射解決了因“靶中毒”引起的“打火”和沉積速率大幅度下降的問題;同時(shí)利用離子源輔助沉積，進(jìn)一步提高離化率，從而提高所沉積薄膜的質(zhì)量。
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高功率脈沖磁控濺射試驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)及放電特性研究
高功率脈沖磁控濺射(HPPMS)因其高離化率而得到廣泛關(guān)注，是目前的熱點(diǎn)研究方向，為此我們搭建了試驗(yàn)平臺(tái)并對HPPMS 的放電特性進(jìn)行了研究。
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離軸濺射法生長的BiFeO3 外延薄膜及其交換偏置效應(yīng)
多鐵性BiFeO3 薄膜吸引了人們廣泛的關(guān)注，并且有望應(yīng)用于磁電器件、自旋電子器件和微波器件等領(lǐng)域
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磁控靶濺射沉積率的影響因素
濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強(qiáng)度、靶源與基片的間距等影響因素外。
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磁控濺射及磁控濺射產(chǎn)生的條件-磁控濺射基本原理與工況
本文講解了磁控濺射鍍膜靶電源一文中磁控濺射基本原理與工況章節(jié)的磁控濺射以及磁控濺射產(chǎn)生的條件等相關(guān)的內(nèi)容。
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本文講述了磁控濺射基本原理與工況中的濺射鍍膜真空環(huán)境。
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常用的幾種塑料真空鍍膜材料有：ABS塑料、聚酯、聚乙烯、聚氯乙